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三星电子率先出样HBM4E内存提升高带宽存储竞争力

时间:2026-08-18 10:24
三星电子率先交付全球首批12层HBM4E样品,引脚速率14-16Gbps,单堆栈带宽3 6TB s,性能较HBM4提升20%。采用1cnmDRAM与4nm逻辑芯片,能效提升16%,热阻改善14%,12Hi版本容量48GB,后续将推8Hi及16Hi版本。

如果你觉得三星在HBM赛道上已经冲得够猛了,那看看这次他们又整了什么新活儿——正式向全球主要客户交付业界首批12层(12Hi)HBM4E样品。这可不是小打小闹的升级,而是实打实的下一代高性能内存量产前兆。

从规格上看,三星这套HBM4E的引脚传输速度稳稳落在14Gbps,而且还能进一步扩展到16Gbps。对比HBM4,性能直接再往上攀了20%。每一个堆栈的带宽高达3.6TB/s——这意味着什么?对于大型语言模型和下一代AI系统来说,相当于直接在计算性能的天花板上又多捅了一层天花板,这才是关键所在。

值得注意的是,三星这次的HBM4E延续了之前的HBM4设计路线。不对,是和HBM4一样采用了1c nm DRAM die搭配4nm logic die的组合方案,但在此基础上显然下了更多功夫

看起来文章在这里出现了一些图片加载问题,但我们还是回到核心信息上。

这次新的HBM4E在能耗和散热方面做得很扎实。通过先进的低功耗设计技术和优化的封装结构,能效提升了16%,热阻特性也改进了14%。简单说就是:跑得更快的同时,功耗和发热反而控制得更好了。

容量方面,三星这次率先交付的12Hi HBM4E单堆栈容量达到了48GB。这只是一个起点,后续还会根据客户需求推出8Hi的32GB版本,以及更激进的16Hi 64GB版本。目前第一阶段是样品交付和优化,然后按照客户的节奏来推进批量生产。

话又说回来,HBM这条赛道上,三星这次算是迈出了实质性的一步。从样品到量产,接下来就看客户的验证进度了。

来源:https://www.163.com/dy/article/KU384S9O0511B8LM.html
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