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三星电子率先出样HBM4E内存推动高带宽存储升级

时间:2026-08-18 10:24
三星电子率先向全球客户出样十二层第四代高带宽内存,引脚速度十四吉比特每秒可扩至十六吉比特每秒,带宽三点六太字节每秒,能效提升百分之十六,热阻改进百分之十四,单栈容量四十八吉字节,后续推出三十二吉和六十四吉版本。
三星电子正式向全球主要客户交付了业界首批12层(12Hi)HBM4E样品,这一消息在5月29日由韩国总部确认。从技术指标来看,这次突破确实有点意思——HBM4E在引脚传输速度上稳定跑到了14Gbps,而且还能进一步扩展到16Gbps,相比上一代HBM4又提升了20%。每个堆栈的内存带宽达到3.6 TB/s,这个数字对于LLM和下一代AI系统来说,意味着计算性能可以再上一个台阶。 和HBM4一样,HBM4E依然采用1c nm DRAM裸晶搭配4nm逻辑裸晶的组合。不过新版本在能效和散热上做了不少功课——通过先进的低功耗设计技术和优化的封装结构,能效提升了16%,热阻特性改进了14%。别小看这几个百分点,在高密度堆叠场景下,温度和功耗往往是制约性能释放的关键瓶颈。 容量方面,单堆栈12Hi版本直接干到48GB。三星的路线图显示,后续还会根据客户需求推出8Hi 32GB和16Hi 64GB的配置。首批样品交付并完成优化后,量产计划将按照客户的进度安排来推进。 值得留意的是,HBM4E的带宽提升和能效优化并不是孤立的——它直接服务于大模型训练和推理中越来越夸张的显存需求。从行业趋势看,48GB的单栈容量已经可以覆盖很多主流AI翻跟斗的需求,而16Hi的64GB版本更是为未来更大规模的模型预留了空间。竞争格局上,三星这次率先交付12层样品,显然是在追赶和反超的路上又踩了一脚油门。
来源:https://www.163.com/dy/article/KU384S9O0511B8LM.html
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