8 月 14 日消息，据科技媒体 Wccftech 今日报道，三星正重新调整一条在建生产线的规划，未来将用于制造 HBM（高带宽内存）所需的基础裸片（Base Die）。
据业内人士透露，三星这条生产线预计将采用 2nm 先进制程工艺，并有望在两年后正式投产，不过由于项目仍处于推进阶段，后续方案仍不排除继续调整的可能。
HBM 使用的基础裸片一直在持续升级，真正出现明显变化的是在 HBM3 和 HBM3E 时代。随着这两代产品的数据传输速度相比早期版本大幅提升，主要厂商开始转向由晶圆代工厂提供制程支持的基础裸片方案，并采用 20nm 至 12nm 不等的逻辑制程进行生产。
而到了 HBM4，由于其采用了更高性能的总线架构以及更多的硅通孔（本站注：TSV），基础裸片的规格也将进一步提升。因此，台积电与三星晶圆代工等厂商，正开始承担更多 HBM 基础裸片制造任务。
除三星之外，SK 海力士同样在加快与晶圆代工厂合作生产 HBM 芯片的步伐。该公司已经与台积电展开合作，后者可提供成熟的 N12 制程以及更先进的 N5 工艺，用于生产 HBM 相关芯片，进一步满足高性能存储市场需求。
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