据韩国媒体 the bell 最新披露，SK海力士正在推进3D NAND闪存领域的新布局：这家存储芯片巨头计划在大连二厂建设一条全新的FG（浮栅）结构3D NAND生产线，目标瞄准“200层中段”，也就是约250层堆叠高度的先进NAND闪存产能。
如果持续关注闪存行业和3D NAND技术路线，就会发现一个值得注意的趋势：当前多家主流原厂基本都转向了CT（电荷阱）结构，只有SK海力士仍在坚持FG路线。原因并不复杂——此前在收购英特尔闪存业务时，SK海力士也同步接手了FG相关生产线和技术资产。如今，大连一厂已经具备192层FG NAND的量产能力，而大连二厂的新规划，显然意味着这条技术路径还将继续深入推进。
消息显示，SK海力士在去年已经完成了200层以上FG NAND的研发，目前正加快向量产阶段迈进。整体时间表也比较明确：预计在2026年第三季度率先建设一条中试线，相关设备采购工作已经启动；随后目标是在2027年下半年实现全面量产，进一步提升高层数3D NAND的市场竞争力。
那么问题来了——在行业普遍转向CT结构的背景下，SK海力士为什么还要持续投入FG NAND？背后其实有两方面原因。首先，FG结构在QLC NAND闪存应用上具备一定优势，能够更好支撑每单元更高比特数的存储需求。其次，当前AI推理场景正在快速拉动读取密集型SSD需求增长——这类应用写入频率不高，但读取量非常大，因此非常适合QLC SSD发挥成本和容量优势。再加上延续既有技术路线，也有助于Solidigm保持研发与产品开发的连贯性，避免频繁切换架构带来的额外成本与复杂度。
从这个角度来看，SK海力士在大连二厂落子新FG产线，不仅是对现有闪存资产和制造能力的进一步深度利用，也是在提前布局AI时代对高容量、高性价比存储解决方案不断增长的需求。
