据THE ELEC于5月26日报道，SK海力士正式推出一项名为iHBM的新技术，专门针对高带宽内存（HBM）在高负载运行中的散热与发热难题。这项技术的核心，是在HBM封装内部集成一体化热控制元件（ICE），并采用高导热率硅材料，精准布置在发热最集中的D2D PHY（芯片对芯片物理层）上方，从而打造出一条专属、高效的散热通道。

先来看D2D PHY到底承担什么作用——它是HBM基底芯片与GPU等AI芯片之间进行高速数据传输的物理接口。与现有散热方案相比，iHBM可将热阻降低30%，这意味着即使在高温、高负载的应用环境下，系统也能保持更稳定、更可靠的运行状态。传统HBM通常依赖核心芯片进行间接散热，但随着堆叠层数持续增加、传输速率不断提升，散热瓶颈日益明显。而iHBM则从封装结构层面直接入手，真正切中HBM散热问题的关键。

这项技术基于SK海力士成熟的MR-MUF（批量回流模塑底部填充）晶圆级封装（WLP）工艺实现量产。具体而言，该方案通过高散热环氧塑封料（EMC）粘合多层DRAM芯片，再结合高温回流焊接与热压键合完成整体封装。WLP工艺的突出优势在于：能够在晶圆尚未切割之前就完成封装与测试，不仅可以显著缩小封装尺寸，还能进一步优化电学性能，为高性能内存封装提供更强支撑。

按照SK海力士的产品规划，iHBM将率先导入HBM5等下一代HBM产品中，以满足高性能计算（HPC）和AI数据中心等超高集成度、高带宽应用场景下日益增长的热管理需求。可以说，这项HBM散热技术将直接影响系统整体稳定性、运行效率以及未来AI算力平台的性能表现。

SK海力士封装开发负责人李康旭（이강욱）副社长表示：“iHBM融合了内存设计与先进封装技术，能够提前满足AI环境的需求，进一步巩固我司在AI内存领域的领先地位。”