2025年8月2日消息，英特尔位于俄亥俄州的晶圆厂综合体项目正全力推进，计划于2031年全面建成投产。为激励员工加快进度，公司推出了高额加班奖金。与此同时，英特尔的EMIB-T先进封装技术也取得重大突破，目前唯一制约其规模化应用的瓶颈在于基板良率问题。
英特尔正在俄亥俄州建设一座占地约1000英亩（约405公顷）的巨型晶圆厂园区，专为生产“埃米时代”制程节点（包括18A和14A工艺）而设计。为加速这一关键项目建设，英特尔据称正在发放高额加班奖金，目标是在2031年前实现14A工艺的大规模量产。
与此同时，台积电也在研发类似EMIB的先进封装方案，以补充其体积更大的CoWoS-L产品线。英特尔的EMIB（嵌入式多芯片互连桥接）技术，通过将微小硅桥直接嵌入有机基板，在单个处理器封装内实现多个硅芯片的互连。该技术仅在芯粒与硅桥连接的边缘区域布置高密度微凸点，从而实现芯片间高速数据传输。
EMIB-T则是在此基础上的进一步升级，在嵌入式硅桥中加入了贯穿硅通孔（TSV）。这些垂直互连通道允许电力和高速信号直接从封装底部穿过硅桥，传输至上方堆叠的处理器或内存，实现三维芯片堆叠。值得注意的是，英特尔EMIB-T的封装成本相比台积电CoWoS大约低50%。
根据时间规划，英特尔预计在2027年开始大规模提供EMIB-T封装服务，目前该技术的封装良率已接近90%。然而，基板良率仍是尚未解决的难题，目前仅维持在约50%的水平。
EMIB-T所用基板具体包含三部分：首先，基础有机基板面板，其上精密钻孔加工出用于放置硅桥的凹槽，主要由Ibiden（核心供应商）、Shinko、Unimicron和AT&S等厂商供应；其次，介电层堆叠结构，即直接覆盖在嵌入式硅桥上方的绝缘层，采用业界标准的味之素积层膜（ABF）；最后，包含TSV结构的硅桥本身，用于实现垂直方向的电力和信号传输。
正是基板环节拖慢了英特尔扩大EMIB-T封装服务规模的计划。不过，基板供应商Unimicron近期再次表示，EMIB-T仍处于早期发展阶段，当前重点任务是快速提升产能并改善良率。换言之，问题虽在，但方向明确，余下的只是时间与投入的博弈。
