存储新纪元？HBF商业化冲刺：闪迪拟下半年建试点线，明年量产
闪迪正显著加快高带宽闪存（HBF）的商业化进程
AI推理时代的存储版图，正在酝酿一场新的结构性变革。继HBM之后，一个被视为关键存储层级的新技术——高带宽闪存（HBF），正吸引闪迪、SK海力士与三星电子全面入局。这标志着，存储行业下一轮核心竞争的战鼓，已然敲响。
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商业化进程提速：闪迪着手搭建原型产线
4月13日，韩国媒体ETNews援引The Bell的报道透露，闪迪已开始行动，正与材料、零部件及设备合作伙伴接洽，着手搭建HBF原型产线的生态体系。按照计划，原型产品将于今年下半年推出，而试产线预计在2026年下半年竣工并投入运营，最终商业化目标则定在2027年。
有知情人士指出，随着样品生产的加速推进，闪迪甚至有可能将此前规划的HBF开发时间表整体提前约半年。这一动作，无疑显露出其抢占市场先机的强烈意图。
HBF的快速推进，对AI硬件产业链影响深远。这项技术的核心，是在NAND闪存中引入硅通孔（TSV）堆叠封装。其妙处在于，能在维持高带宽的同时，提供约10倍于HBM的存储容量。可以说，它是专为填补HBM与SSD之间的存储层级断层而设计的。随着AI工作负载加速向推理阶段迁移，这一技术缺口的战略价值，正变得前所未有的清晰。
设备与材料产业链：HBM积累优势直接迁移
闪迪之所以能快速切入HBF赛道，底气在于其在HBM及NAND领域均已具备的设计、封装与量产经验。这为其奠定了坚实的技术基础。
根据ETNews的报道，由于HBF与HBM在工艺流程上高度相似，一个显著的行业趋势是：那些在HBM产线上积累的设备、材料与零部件生态优势，有望被直接平移到HBF领域，延续其技术领先性。
具体来看，用于实现堆叠NAND芯片间信号传输的TSV工艺设备、固晶用的键合材料及相关设备，预计仍将由已在HBM市场建立强大竞争力的企业主导。这种技术路径的延续性意味着，现有HBM设备供应商的潜在市场空间，将随着HBF的推进而水涨船高。
材料端也传来了新动向。韩国Hanul Materials Science旗下子公司JK Materials近日宣布，已完成用于HBF的高性能聚合物的开发工作，并已开始向主要客户供货。报道指出，该公司的高性能KrF聚合物，是实现数百层NAND闪存堆叠所需的关键化学材料。
三巨头竞争格局：标准话语权与专利布局同步展开
在市场竞争层面，格局已然明朗。SK海力士与闪迪正通过OCP工作组积极推进标准化工作，试图在行业规范制定层面建立先发优势。此前业界的普遍预期是，三星电子与闪迪计划在2027年底至2028年初，将HBF集成至英伟达、AMD及谷歌等巨头的产品中。
三星方面虽未公开高调宣布，但其布局步伐同样扎实。据《朝鲜日报》报道，三星电子自2020年代初便已开展HBF研究，近期更是密集收购了一系列HBF相关专利，积极拓展技术储备。这些专利布局动作明确表明，三星正在HBF赛道上稳步推进。
被誉为“HBM之父”的韩国科学技术院教授Kim Joungho近期给出了他的观察。他认为，HBF的落地节奏比此前预期要快。他预计，HBF将在HBM6推出阶段实现广泛应用，并有望在2038年前后，在市场规模上超越HBM。同时他也指出，得益于HBM积累的成熟工艺与设计经验，HBF的商业化周期，将远短于当年HBM所经历的开发历程。
HBF的战略定位：填补AI推理时代的存储层级缺口
那么，HBF的核心战略价值究竟何在？答案在于构建一个全新的、介于超高速HBM与大容量SSD之间的存储层级。
SK海力士的分析指出了当前AI推理场景下的一个结构性矛盾：随着用户规模爆炸式增长，现有存储架构在高容量数据处理与功耗效率之间难以兼顾——HBM带宽卓越但容量有限，SSD容量充裕但读写速度不足。
HBF的设计，正是为了弥合这一技术缺口。通过垂直堆叠NAND闪存，它在维持高带宽的同时，提供了约10倍于HBM的存储容量。在未来的系统架构中，可以想象这样的分工：HBM负责处理最前沿的高带宽需求，而HBF则作为强大的支撑层，承接容量扩展的核心任务。两者协同作战，方能覆盖AI推理对海量数据处理与极致功耗效率的双重苛刻要求。
正如SK海力士总裁兼首席开发官Ahn Hyun所言：“AI基础设施的关键，在于超越单项技术的性能竞争，实现整个生态系统的优化。”SK海力士同时强调，HBF成为行业标准，将为整个AI生态系统的共同成长奠定基础。这场关于存储层级的革新，或许正是未来AI算力效率跃升的关键一环。
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