三星电子量产236层NAND闪存,提升存储密度与性能
《科创板日报》30日讯,三星电子已完成西安工厂工艺升级的第一阶段,逐步淘汰了传统的128层(V6)NAND闪存,并已开始量产236层(V8)产品。目前,三星电子正在筹划进一步的升级,预计将于今年完成向286层(V9)NAND闪存的过渡。 (ETNews)
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3月30日消息,据韩媒ETNEWS报道,位于西安的三星电子NAND晶圆厂已正式实现V8(236层堆叠)3D NAND闪存的量产。本次制程升级工作自2024年启动,在原有V6(128层)NAND生产线
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