国产第三代半导体突破：14英寸碳化硅衬底全球之最
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3月29日消息，碳化硅是第三代半导体中的核心，此前美国公司Wolfspeed长期占据技术及市场主要份额，现在国内的天成半导体宣布成功研制出14英寸（350mm）碳化硅单晶材料。
天成半导体此前的记录是12英寸，这次的14英寸碳化硅单晶材料又是依托自主研发设备研发出来的，而且有效厚度达到了30毫米。
天成半导体于2024年在太原成立，主要从事半导体器件专用设备制造，电子专用材料研发，新兴能源技术研发等。
从公开报道来看，公司2024年宣布6英寸碳化硅衬底投产，实现了从4英寸到6英寸的技术升级。
而在去年11月份，西山日报就报道称该公司攻克了12英寸碳化硅“双路线”难题，分别研发成功12英寸导电型碳化硅单晶材料、12英寸高纯半绝缘碳化硅单晶材料。
今年3月份，再次从12英寸提升到了14英寸，有效厚度30毫米也是关键指标，对碳化硅晶圆来说，长得大同时长得厚是很困难的。
14 英寸晶圆的面积大约是目前主流6英寸晶圆的5倍以上，这意味着在同等生产周期下，单片晶圆产出的芯片数量大幅增加，从而使单颗芯片的成本有望下降60%以上。
此前碳化硅单晶材料的晶圆尺寸是12英寸，国内也有多家企业量产，全球最大的碳化硅材料企业美国Wolfspeed今年1月份才宣布造出单晶碳化硅晶圆。
碳化硅（SiC）单晶材料作为第三代半导体（宽禁带半导体）的核心，是支撑电力电子、微波射频等领域实现突破的关键战略物资，具有耐高压与高功率、高导热与耐高温、低损耗等优势，是新能源、光伏储能、智能电网及5G射频等领域的重要材料。
在这个领域，欧美公司一度是全球主导力量，美国企业长期占据60%以上份额，Wolfspeed 一家曾一度占据全球40%以上的供应量。
不过近年来国内企业在这方面提升极快，不论技术还是产能都在爆发增长，如今随着14英寸碳化硅晶圆的问世，技术上开始领先了。
再这么发展下去，很快碳化硅又要被一些人说成不再是高科技技术了。
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