英伟达入局闪存研发：速度提升万倍，功耗降低96%
三星电子已与英伟达达成战略合作，双方将携手加速开发下一代NAND闪存芯片。这一消息得到了行业内部人士的确认。
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两家公司联合研发的人工智能系统，能够显著提升铁电基超低功耗NAND的开发效率。铁电技术作为决定人工智能芯片性能的核心要素，此次合作体现了双方在引领全球人工智能半导体热潮的同时，力求在下一代芯片竞争中占据技术制高点的战略布局。
据最新行业消息显示，由三星电子半导体研究院、英伟达及佐治亚理工学院组成的联合研究团队，成功开发出名为“物理信息神经算子（PINO）”的创新模型。该模型分析铁电NAND器件性能的速度，较传统方法提升了万倍以上。这项突破性研究成果已在全球范围内正式发布。
铁电材料作为一种新型功能材料，能够在无需持续供电的情况下保持极化状态。由于其能以极低功耗实现高效信息存储，将这类材料应用于NAND存储器件的研究一直备受关注，而三星电子在该领域始终保持着领先优势。铁电NAND指的是采用铁电材料替代传统硅基材料制造的新型存储器。
要实现铁电NAND的商业化应用，需要通过计算机模拟对阈值电压、数据保持等材料特性进行精准分析与优化。半导体行业广泛使用的技术计算机辅助设计工具，单次运行通常需要60小时，严重制约了研发进度。而三星与英伟达的研究团队成功利用基于物理定律训练的人工智能，将单次运行时间缩短至10秒以内。
与传统硅基技术不同，采用铁电材料制造的NAND具有革命性优势。得益于其高密度可堆叠特性，最高可实现1000层堆叠，峰值功耗可降低96%，标志着行业的一项重大突破。强电介质NAND作为一项能够同时应对包括英伟达在内的大型科技公司所担忧的供电和电力短缺问题的新技术，正受到业界广泛关注。
去年底，三星电子在《自然》杂志上发表的研究成果，首次揭示了“低功耗NAND闪存用铁电晶体管的运作机制，其卓越性能在此得到充分体现。为应对人工智能存储需求的快速增长，公司还宣布将继续推进后续研究，目标是实现该产品的商业化应用。目前三星电子已掌握200-300层的NAND堆叠技术，并明确将铁电技术作为未来实现1000层堆叠的关键技术路径。
根据韩国知识产权局数据显示，在全球铁电专利份额排名中，韩国以43.1%的占比位居首位，其中三星电子一家公司就占据了27.8%的份额。
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