英伟达新品拉动高端内存需求,三星与SK海力士开启份额争夺
21世纪经济报道 记者 彭新
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倘若下一代HBM(高带宽内存)能够顺利通过验证并投入量产,三星与SK海力士将有望进一步扩大其在人工智能市场的领先优势,抢占更高价值的市场份额。这一进展自然成为资本市场持续关注的焦点。
英伟达基于Rubin架构的GPU芯片即将迎来大规模量产节点,市场需求保持强劲势头。今年年初的美国消费电子展期间,英伟达方面确认该芯片已全面投产。相比于上一代Blackwell架构,Rubin在推理性能上最高可提升至5倍,训练性能最高也可提升3.5倍。英伟达首席执行官黄仁勋更是明确表示,训练一个十万亿参数级别的大模型集群,其硬件需求仅为前代的四分之一,效率优势十分显著。
在内存规格方面,Rubin GPU的内存将从HBM3e升级至HBM4,其内存传输速度将提升约1.6倍。从供应链透露的消息来看,目前三星电子与SK海力士主导了HBM4的主要产能。作为高利润产品,HBM4将成为两大巨头营收与利润增长的核心引擎。
随着英伟达Rubin GPU交付在即,两大存储巨头围绕HBM4市场份额的争夺已经悄然拉开序幕。
(资料图)
当前主流的存储芯片主要分为DRAM(动态随机存取存储器)和NAND Flash(闪存)两大类。前者运行速度快,如同一个临时工作台,但断电后数据会丢失,主要产品包括标准DDR系列、LPDDR系列以及HBM等;后者容量大,类似一个存储仓库,即使断电关机依然能保存数据,但运行速度相对较慢。
半导体市场调研机构集邦咨询介绍,HBM主要支持GPU,带宽最高;DDR系列则主要支持x86架构的CPU,而LPDDR系列则支持基于ARM架构的CPU。预计到2025年,这三大产品领域的厂商市占率将由SK海力士、三星、美光位居前列。其中,AI服务器的主要需求内存类型正是HBM和DDR5等。
市场调研机构Omdia数据显示,三星电子在2025年第四季度的DRAM市场份额达到36.6%,SK海力士以32.9%位居第二,这主要得益于三星在HBM业务上的扩张带动。
在高度集中的存储市场中,AI服务器的需求正重塑竞争格局。全球存储芯片供应日益趋紧,可能制约人工智能算力投资。随着数据中心建设加速,HBM以及其他先进存储芯片的需求正超出预期地激增。SK海力士预计,从2025年到2030年,HBM市场将实现年均33%的高速增长。
在两大韩国存储巨头之中,SK海力士正深耕HBM4以保持市场领先地位。近期,SK海力士董事长崔泰源在一次会议上表示,将继续扩大AI存储芯片的产量,以满足全球数据中心建设带来的旺盛需求。崔泰源还提到,HBM(高带宽内存芯片)已经为SK海力士带来了巨额利润。此外,公司还与合作伙伴共同开辟存储新赛道,推动HBF(高带宽闪存)标准以弥合HBM与SSD之间的性能断层,计划在2027年初实现商用落地。
相比之下,三星则充分发挥其庞大的技术底蕴和产业链垂直整合能力,成为AI供应链中不可或缺的一环,正努力缩小与SK海力士之间的差距。
2月12日,三星宣布其HBM4内存已正式进入量产交付阶段,并已开始向客户供货,成为全球首家实现HBM4商业化的供应商。据三星介绍,HBM4可提供高达11.7Gbps的传输速度,性能未来还可进一步提升至13Gbps,有望缓解随着AI大模型规模不断扩大而带来的数据瓶颈问题。
产品规划上,三星从2月开始HBM4的出货,年中开始为客户提供HBM4E样品,并在下半年推出基于HBM4的定制HBM产品。
展望2026年,三星称将重点推进HBM4产品的批量生产,计划推进1c制程产能扩张。此外,公司还将集中扩大HBM、DDR5、LPDDR5x及高密度QLC SSD等其他高附加值产品的销量。三星表示,目前2026年所有HBM产能都已被客户锁定,预计销售将实现大幅增长,同比增幅超过3倍。
在AI浪潮的持续席卷下,全球存储芯片价格持续上涨。
集邦咨询研报显示,随着大模型应用从训练端向推理端加速落地,云服务提供商的资本开支重心正发生显著转移。这一变化不仅让通用服务器重回采购C位,更引爆了常规DRAM的采购需求,厂商积极追加订单,推动全球DRAM产业在2025年第四季度实现大幅增长。当季,全球DRAM产业营收达到535.8亿美元,环比大幅增长29.4%。
由于存储供不应求的局面短期难以缓解,议价天平已完全向原厂倾斜。在刚刚过去的2025年第四季度,由于各类买方需求均无法得到完全满足,市场恐慌性备货情绪蔓延。数据显示,2025年第四季度常规DRAM合约价强势上涨45%~50%,包含HBM在内的整体DRAM合并合约价涨幅更是达到50-55%。
展望2026年第一季度,集邦咨询称,尽管消费电子市场将进入传统淡季,预计存储原厂出货增速将放缓甚至持平,但供需双方价格端的博弈将更加激烈。预计多数存储产品的合约价涨幅将再次大幅加速,估计最终常规DRAM合约价将上涨90-95%,而包含HBM在内的整体DRAM合并合约价涨幅将达到80%~85%。
对于AI带来的存储大周期,尤其是HBM的供需问题,此前中芯国际联合首席执行官赵海军在2025年四季度财报会上分析称,当前行业对AI算力存在宏大设想,试图将未来十年的基建需求压缩在这一两年内完成,这导致大量现有产能被调配至AI特别是HBM领域。然而,AI对高端存储的需求并不仅仅是前端晶圆产能问题,更关键的约束在于后端工艺:用于HBM相关产品的倒角、背面减薄、封装测试等环节的导入和扩产节奏明显慢于晶圆制造,“即便把更多晶圆产能转向AI,也未必能立刻解决供给问题。”
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