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三星HBM4E电源网络重构:显著降低缺陷率与GPU分离可行性探析

三星HBM4E电源网络重构:显著降低缺陷率与GPU分离可行性探析

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2026-03-04

三星正着手对其新一代HBM4E高带宽显存的电源供应网络进行重大结构性调整,以应对下一代AI芯片设计中日益突出的供电与散热工程难题。这一举措出现在该公司宣布全球首批HBM4实现商业出货仅两周之后,当时量产产品已能在11.7 Gbps速率下稳定运行,并预留了冲击13 Gbps的速度冗余。

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随着架构从HBM4演进至HBM4E,单颗芯片上的供电焊点数量从13682个增加至14457个,但仍被压缩在相同封装面积内。配合更薄、更高密度的布线,导致电流密度与导线电阻同步攀升。结果就是芯片内部出现更严重的IR压降(电压在传输路径上逐步衰减),在发热叠加下形成负面反馈循环,不仅影响性能,还可能引发局部电路失效。

为破解这一供电瓶颈,三星选择从电源网络结构本身"开刀"。在HBM基底芯片上,原本位于互连中介层附近、呈大面积蜂窝状的集中式MET4电源块被拆分成四个较小分区,上层金属布线层也进一步打散,缩短关键路径、缓解局部走线拥堵。三星给出的内部评估显示,经由这种分段式电源网络后,金属电路缺陷发生率相比HBM4下降了97%,同时IR压降改善幅度达到41%,为芯片在更高频率下稳定运行释放出更多电压裕量,也有助于整体可靠性提升。

在供电网络"动刀"的同时,三星还把目光投向了更激进的系统级封装演进路线——将HBM与GPU在物理上彻底"拆开"。其中一条技术路径是利用光子互连,通过光信号传输在更远距离上维持极高带宽。据介绍,其理论传输能力可达现有铜互连的约1000倍,足以弥补HBM与GPU被拉开间距后在延迟与带宽上的损失。三星认为,随着封装基板布线能力本身的持续进步,即便在不完全依赖光子互连的前提下,HBM与GPU之间的距离也有望被拉大至5厘米以上,这将极大缓解当前高端AI加速卡中核心计算芯片与多层HBM堆叠紧贴封装所带来的热密度与散热压力。

业界分析指出,在AI训练与推理负载暴涨的背景下,HBM供电与散热已成为制约算力继续线性扩展的关键"卡点"。三星在HBM4E上的电源网络重构以及对HBM-GPU分离方案的前瞻性探索,显示出其试图在下一轮高端显存技术竞争中占据先手的意图。本次技术细节最初由韩媒《韩国经济》及市调机构TrendForce披露,随后得到三星相关技术展示资料的印证。

来源:https://www.163.com/dy/article/KN4K84570511BLFD.html
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