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新型半导体材料研发获重要进展:技术突破解析

时间:2026-01-24 09:17
本报合肥电 (记者李俊杰)记者从中国科学技术大学获悉:该校张树辰特任教授团队联合中外学者,在新型半导体材料领域取得重要进展。团队首次在二维离子型软晶格材料中,实现了面内可编程、原子级平整的“马赛克

近日,记者从中国科学技术大学获悉,该校张树辰特任教授团队联合国内外科研人员,在新型半导体材料研究领域取得突破。研究团队创新性地在二维离子型软晶格材料中,实现了面内可编程且界面达原子级平整的“马赛克”式异质结可控构筑,为下一代高性能发光器件与集成芯片的研发开辟了新方向。该研究成果日前在线发表于国际权威学术期刊《自然》。

在半导体领域,能否在材料平面内精准构建横向异质结构,是探索新奇物性、研发新型器件及推动器件微型化的关键所在。然而,以二维卤化物钙钛矿为代表的离子型软晶格半导体,其晶体结构柔韧且不稳定,传统光刻加工等技术常因化学反应过于剧烈而损坏材料本身,难以实现高质量的横向异质集成。如何在此类材料上实现高精度、可控制备的横向异质结,一直是该领域面临的核心挑战。

为解决这一难题,中国科学技术大学研究团队另辟蹊径,提出并发展了一种利用晶体内部应力引导的“自刻蚀”方法。该方法通过将不同种类的半导体材料精准回填,最终在单一晶片内部成功构筑出晶格连续、界面原子级平整的高质量“马赛克”式异质结。

《 人民日报 》( 2026年01月24日 06 版)

来源:https://www.163.com/dy/article/KK1407410514R9M0.html
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