新型半导体材料研发获重要进展：技术突破解析
近日，记者从中国科学技术大学获悉，该校张树辰特任教授团队联合国内外科研人员，在新型半导体材料研究领域取得突破。研究团队创新性地在二维离子型软晶格材料中，实现了面内可编程且界面达原子级平整的“马赛克”式异质结可控构筑，为下一代高性能发光器件与集成芯片的研发开辟了新方向。该研究成果日前在线发表于国际权威学术期刊《自然》。
在半导体领域，能否在材料平面内精准构建横向异质结构，是探索新奇物性、研发新型器件及推动器件微型化的关键所在。然而，以二维卤化物钙钛矿为代表的离子型软晶格半导体，其晶体结构柔韧且不稳定，传统光刻加工等技术常因化学反应过于剧烈而损坏材料本身，难以实现高质量的横向异质集成。如何在此类材料上实现高精度、可控制备的横向异质结，一直是该领域面临的核心挑战。
为解决这一难题，中国科学技术大学研究团队另辟蹊径，提出并发展了一种利用晶体内部应力引导的“自刻蚀”方法。该方法通过将不同种类的半导体材料精准回填，最终在单一晶片内部成功构筑出晶格连续、界面原子级平整的高质量“马赛克”式异质结。
《 人民日报 》( 2026年01月24日 06 版)
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