1月17日，IT之家援引业内消息称，被誉为“HBM之父”的韩国科学技术院（KAIST）学者金正浩（Kim Jung-Ho）在近日的一场行业论坛上表示，尽管高带宽内存（HBM）从初代产品问世到站上半导体产业舞台中央，花了将近十年时间，但高带宽闪存（HBF）的普及进程将显著加快。

一方面，几家主要存储厂商在开发HBM的过程中，积累了大量的堆叠架构设计与工艺技术经验；另一方面，人工智能的爆发式增长使得现有HBM在容量上已难以满足AI负载日益增长的数据需求。

继SK海力士之后，三星电子也加入了由闪迪首创的HBF技术阵营，三方正携手推动HBF的技术标准化。业内人士预测，HBF的带宽将超过1638GB/s，这相当于PCIe 6.0×4带宽的50倍，而其容量则有望达到512GB。

在商业化进程上，SK海力士有望于本月晚些时候展示HBF的早期测试版本。三星与闪迪则正朝着在2027年底至2028年初，将HBF应用于英伟达、AMD及谷歌的AI XPU这一目标迈进。而HBF的广泛应用预计需待HBM6发布之后，届时单个基础裸片将集成多组存储堆栈。

金正浩将HBM与HBF的关系比作书房与图书馆：前者容量较小，但存取更为便捷；后者容量巨大，但延迟更高。他指出，针对NAND闪存与DRAM内存的底层差异，软件工程师需对HBF的数据操作算法进行优化，尽量减少写入次数。