HBM之父前瞻:HBF加速商业化,HBM6普及有望提速
1月17日,IT之家援引业内消息称,被誉为“HBM之父”的韩国科学技术院(KAIST)学者金正浩(Kim Jung-Ho)在近日的一场行业论坛上表示,尽管高带宽内存(HBM)从初代产品问世到站上半导体产业舞台中央,花了将近十年时间,但高带宽闪存(HBF)的普及进程将显著加快。
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一方面,几家主要存储厂商在开发HBM的过程中,积累了大量的堆叠架构设计与工艺技术经验;另一方面,人工智能的爆发式增长使得现有HBM在容量上已难以满足AI负载日益增长的数据需求。

继SK海力士之后,三星电子也加入了由闪迪首创的HBF技术阵营,三方正携手推动HBF的技术标准化。业内人士预测,HBF的带宽将超过1638GB/s,这相当于PCIe 6.0×4带宽的50倍,而其容量则有望达到512GB。
在商业化进程上,SK海力士有望于本月晚些时候展示HBF的早期测试版本。三星与闪迪则正朝着在2027年底至2028年初,将HBF应用于英伟达、AMD及谷歌的AI XPU这一目标迈进。而HBF的广泛应用预计需待HBM6发布之后,届时单个基础裸片将集成多组存储堆栈。
金正浩将HBM与HBF的关系比作书房与图书馆:前者容量较小,但存取更为便捷;后者容量巨大,但延迟更高。他指出,针对NAND闪存与DRAM内存的底层差异,软件工程师需对HBF的数据操作算法进行优化,尽量减少写入次数。
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