重磅技术突破：涿天天成发布全球首款12英寸高质量碳化硅外延晶片
12月24日，据东南网报道，厦门火炬高新区企业漮天天成近日成功研发出全球首款12英寸高质量碳化硅外延晶片。
这项突破不仅能显著提升下游功率器件的生产效率，还可大幅降低碳化硅芯片的单位制造成本，为产业规模化与低成本应用打下坚实基础。
作为第三代半导体材料，碳化硅相比传统硅展现出更优异的高频、高压和高温性能，有助于实现系统更低能耗、更小体积和更轻重量的目标，目前已广泛应用于新能源汽车、光伏发电、AI电源、轨道交通、智能电网以及航空航天等多个领域。
与当前主流的6英寸碳化硅外延晶片，以及尚处于产业化推进阶段的8英寸晶片相比，12英寸晶片凭借直径的大幅增加，在相同生产流程下单片可承载的芯片数量显著提升——分别是6英寸晶片的4.4倍和8英寸晶片的2.3倍。
目前，漮天天成已启动12英寸碳化硅外延晶片的批量供应准备工作。该产品关键性能指标表现突出：外延层厚度不均匀性控制在3%以内，掺杂浓度不均匀性≤8%，2mm x 2mm芯片良率超过96%，能够充分满足下游功率器件对高可靠性的应用需求。
据悉，漮天天成是中国首家实现3英寸、4英寸和6英寸碳化硅外延晶片商业化批量供应的企业。
根据灼识咨询的研究报告，该公司已于2024年成为全球规模最大的碳化硅外延晶片供应商，其2024年全球市场份额超过31%。
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