有国外媒体在分析全球光刻机专利时惊讶地发现，中国研发EUV光刻机的时间点远比西方预计的要早。早在2018年，中国就已开始申请EUV光刻相关专利，这充分展现了中国在芯片技术自主研发道路上的执着与坚持。而彼时，中国的芯片制造还正处在推进14纳米量产的关键阶段。

之所以促使中国关注EUV光刻技术，导火索是2018年一家中国芯片企业采购EUV光刻机受阻。这一事件让中国芯片行业清醒地认识到，发展先进芯片技术可能不会一帆风顺，西方很可能在先进设备方面设置障碍。只是当时谁也没想到，西方在EUV光刻机上的封锁会持续这么多年。

从2018年至今，中国研发EUV光刻机已走过七个年头。在这七年里，国内众多企业陆续提交了更多专利申请，技术层面也不断取得新突破，例如双工作台、激光对准等核心技术都已陆续攻克。

不过，EUV光刻机的技术难度确实极高。光刻机本身就是一个庞大的产业链，其复杂程度远超想象。以DUV光刻机为例，其零件数量高达十万个，而EUV光刻机的零件更是超过四十五万个。据悉，一台EUV光刻机的制造需要依赖全球数十个国家、超过五千家企业的紧密协作才能完成。即使是生产EUV光刻机的ASML，其自身也只生产其中约15%的关键零部件。

这意味着，中国的光刻机产业链即使在部分技术方面取得突破，但仍有太多关键核心技术需要攻克。真正将EUV光刻机生产出来，恐怕还需要一段不短的时间。

在持续攻关光刻机先进技术的同时，中国也在基于现有的DUV光刻机开发更先进的制造工艺。业界普遍认为，中国已经能够利用DUV光刻机生产7纳米工艺芯片，成为继台积电之后全球第二家实现这一成就的企业。

西方分析推测，中国可能还在推进以DUV光刻机生产5纳米工艺。浸润式光刻机之父林本坚也曾表示，中国利用现有DUV光刻机生产5纳米芯片是可行的，但5纳米工艺很可能已接近DUV光刻机的极限。而且，即便能够生产，其成本也可能远超经济合理的范畴。

除了在传统硅基芯片技术上持续推进，西方更担忧的是中国在量子芯片、光子芯片等先进芯片技术领域的布局。目前在全球范围内，只有中国和美国有能力和资源推进这些前沿技术并已取得实质性进展。业界普遍预计，一旦这些先进芯片技术成功实现商业化应用，中国将有望与美国站在同一技术水平线上。

在量子芯片、光子芯片等技术方面，中国已和美国一样，从产业链到技术都实现了完全自主化。因为这些前沿技术在全球都无先例可循，只能依靠各自探索，这也让中国在这些领域不再有被“卡脖子”的忧虑。

从EUV光刻技术到量子芯片、光子芯片技术，可以看出中国作为全球性大国向来行事周密、谋定后动。而这恰恰是西方所担忧的，同时也令外界难以准确评估中国在先进芯片技术方面的真实进展。相比之下，如今的美国在先进芯片技术上似乎已略显疲态，以至于其最大的芯片企业Intel竟传出要从台积电获取2纳米技术的消息。这不禁让人质疑，美国在量子芯片、光子芯片等更为前沿的技术领域，是否真如预期般取得了扎实的进展。