台积电2nm明年量产,GAA架构技术实现跨越式突破
据12月17日报道,《经济日报》前晚援引消息指出,台积电已全面将2纳米节点转向GAA架构,目标在于实现性能与能效的显著跃升,从而迅速吸引了大量客户跟进。
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市场需求之旺盛已超出台积电原有规划。此前两座2纳米晶圆厂的产能被迅速预订一空,台积电因此需要追加三座新厂,总投资规模约达286亿美元(按现行汇率折合约2015.92亿元人民币)。最新消息显示,台积电2026年的2纳米产能已被全部预订,量产时间预计落在当年年底。
在客户结构方面,高通、联发科、苹果和AMD均在排队等候。台积电计划在2026年底前将月产能提升至10万片,2纳米制程有望成为公司未来增长的核心动力。
技术层面来看,相较于FinFET,GAA通过纳米片堆叠结构强化了电流控制能力,并有效抑制漏电,使得2纳米在相同功耗下能带来10%至15%的性能提升,或在性能不变的情况下实现25%至30%的功耗下降。
报道中同时提及,三星虽率先启动2纳米GAA量产,但目前披露的数据相比3纳米节点并无明显突破。业内认为这与良率尚未完全成熟有关,后续仍有改善空间。
总体而言,台积电并未急于追求时间优势,而是选择以制程质量优先应对技术挑战。市场预计,台积电2026年的资本支出将攀升至480亿至500亿美元(按现行汇率约合3383.36亿至3524.33亿元人民币),刷新历史纪录。
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