5月29日，一条重磅消息引发关注：曾主导泛林-NIMS联合项目、其技术成果直接用于台积电日本3nm量产线的中国科学家达博，正式辞去日本国立材料研究所（NIMS）终身职位，带领整个团队全职回国，加盟中国科学技术大学担任讲席教授。 达博在NIMS仅用一年便获得终身教职，成为该机构历史上最年轻的终身学者。他在电子束有效利用率方面的突破性成果，被日本学界评价为“具有与准晶发现同等的原创性意义”，日立财团甚至曾邀请他作为唯一的外籍受访学者——这份认可的分量不言而喻。 此前，他负责的NIMS与泛林集团联合项目主要聚焦电子束与刻蚀设备中的关键材料和核心部件。这项技术已实际应用于台积电日本3nm量产线。问题的关键在哪里？中国大陆半导体制造在5nm以下的先进制程中，核心部件、刻蚀材料等环节仍高度依赖进口，而达博团队瞄准的正是这一最薄弱的环节。 值得特别强调的是，达博拒绝了所有海外邀请，明确表示要推动中国半导体材料和核心零部件达到世界先进水平。目前，团队成员已有一部分先期回国，在合肥参与国镜仪器科技公司的产业化平台建设。 达博是甘肃人，当年以高考状元身份考入中科大，并在本校完成本硕博九年学业。2013年赴日从事博士后研究，时隔13年后，他选择全职归国。