12月9日据观察者网报道，韩国科技媒体Etnews援引业内人士消息披露，SK海力士正与东进世美肯展开合作，共同开发高性能EUV光刻胶，目标是实现这一半导体核心材料的国产化供应，以降低对日本的依赖。

一位熟悉该事务的相关人士表示：“（SK海力士）需要性能优于日本产品的材料”，并称“据了解，他们特别要求改善光刻胶的光敏性，以提高生产效率。”

针对相关消息，SK海力士相关人士并未予以否认。SK海力士方面表示：“具体的开发内容无法公开”，但补充道，“公司正与包括材料商在内的多家企业持续合作，以改善生产效率。”

据介绍，光刻胶是光刻工艺中使用的材料。当向晶圆照射光线以刻印半导体细微电路时，在晶圆表面对光产生反应的物质就是光刻胶。而提高光刻胶的感光度可以缩短曝光时间，从而能在更短的时间内刻印微细电路，也就意味着生产效率的提升。

此外，随着DRAM中EUV光刻层数的增加，光刻胶开发的必要性也随之增大。各代产品的EUV层数分别为：10纳米级第4代（1a）1层，第5代（1b）3层，第6代（1c）5层，第7代（1d）7层。业界普遍预计，EUV技术在10纳米以下的产品中还会进一步增加。

但截至目前，包括JSR、信越化学、东京应化TOK等日本供应商占据了高端光刻胶市场的大部分份额，尤其是在7纳米以下的先进制程市场，包括海力士、三星在内的韩企长期以来高度依赖日本供应商。但在2019年，因韩日两国的贸易争端，日本一度宣布对包括光刻胶在内的关键芯片制造材料实施出口限制，导致韩国的芯片企业生产“脱轨”。此后，韩国业界一直致力于推动芯片供应链的国产化，降低对日本的依赖。

据《韩国经济日报》报道，韩国对日本光刻胶进口的依赖度已从2018年的93.2%下降至2024年的65.4%。同期，从日本进口的高纯度氟化氢下降了62.5%，金额从1.6亿美元降至6000万美元。

此前，SK海力士曾在2024年通过子公司SK Materials Performance实现了部分EUV光刻胶国产化，但仅限于低规格产品。此次SK海力士与东进世美肯的合作，野心更大——他们不仅想做日本产品的国产化替代，更意图开发出优于日本竞品的材料。

然而，韩国要在尖端半导体工艺中实现自给自足仍然面临严峻挑战。据介绍，EUV光刻胶的技术复杂性远高于传统的ArF光刻胶。虽然韩国在ArF光刻胶方面取得了进展，该材料主要用于10至130纳米的成熟制造工艺。然而，在用于7纳米及以下先进制程的极紫外（EUV）光刻胶领域，韩国仍然落后。

Etnews也分析称，材料开发需要相当长的时间，加上EUV光刻胶的准入门槛很高，目前很难预测SK海力士和东进世美肯的合作会产生什么样的结果。除了研发本身需要极大的投入，目前EUV光刻胶市场绝大多数份额由日本企业掌控。这些巨头积累了数十年的专利壁垒和生产经验，新进入者很难绕过其专利网，同时也面临巨大的价格战压力。