三星2nm工艺效能提升8%：Exynos 2600将率先采用
11月17日消息，三星正试图通过2纳米工艺重振其晶圆代工业务，目前看来已步入正轨。该公司近日公布了下一代制程工艺的首批量产成果，相较于前代技术展现出显著的性能提升。即将搭载于Galaxy S26的Exynos 2600芯片正是采用这一先进工艺制造。此外，据称三星已成功凭借这项前沿制造技术，争取到多家芯片设计公司的订单。
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据Dailian报道，三星在其第三季度财报中披露，其首代2纳米全环绕栅极（Gate-All-Around, GAA）制程相较于第二代3纳米技术取得了质的飞跃：性能提升达5%，能效跃升8%；芯片面积更缩减了5%，整体表现颇为亮眼。
近年来，三星晶圆代工部门持续面临行业龙头——同时也是其主要竞争对手——台积电（TSMC）的激烈竞争。根据2025年第二季度数据，台积电在全球晶圆代工市场份额已突破70%。不过，行业分析师普遍认为，向2纳米技术的过渡有望为三星缩小与台积电的差距创造契机。
据了解，三星与台积电均在2纳米节点采用GAA架构，但两者的技术路径存在差异：台积电系首次在2纳米节点引入GAA，而三星早在上一代3纳米制程中就已率先应用该架构。这意味着三星在GAA技术上已积累了一代量产经验，或具备一定的先发优势。其实战竞争力究竟如何，尚待搭载Exynos 2600芯片的Galaxy S26手机正式上市并接受市场检验后才能揭晓。
良率始终是核心挑战，通常认为60%以上的良率才适合大规模量产。台积电在2纳米工艺上实现了约80%的良率，被业内视为已进入稳定量产阶段。据悉，三星电子已将良率提升至50%~60%的水平。
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