SK海力士公布HBM5内存路线图：2029-2031年推出高带宽存储方案
11月4日最新消息，SK集团今年的AI峰会正在韩国首尔火热进行。在昨日的主旨演讲环节，SK海力士社长郭鲁正公布了该企业的存储技术发展蓝图：
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按照规划，2026至2028年间，SK海力士将推出16层堆叠的HBM4内存产品，并从HBM4E这一代开始提供定制化HBM解决方案。在通用DRAM领域，LPDDR5R以及整合计算功能的LPDDR6将成为重点；而NAND方面，PCIe Gen6企业级与客户端固态硬盘以及UFS 6.0也将陆续面世。
展望2029到2031年的中长期布局，SK海力士将全面迈入HBM5(E)时代。通用DRAM领域将迎来下一代GDDR、DDR6和采用全新晶体管控结构的3D DRAM；NAND技术则将实现400层以上堆叠、PCIe Gen7固态硬盘以及UFS 6.0等突破。
根据SK海力士的构想，定制化HBM的一项重要革新在于将协议控制器等模块从XPU芯片转移至HBM基础裸片中。这一设计能为计算单元释放更多空间，同时显著降低数据接口的功耗。
面向AI时代的内存需求，SK海力士划定了三大发展方向：通过低功耗高性能降低总体拥有成本的AI-D O、以集成计算能力突破内存墙限制的AI-D B，以及拓展应用领域的AI-D E。
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