美光首发192GB LPDDR5X内存:容量提升50%,能效超20%
10月23日,美光科技宣布已开始向客户提供基于最新1-gamma LPDDR5x DRAM技术的192GB SOCAMM2内存模组样品,发布时间为爱达荷州当地时间22日。
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新一代SOCAMM2模组传输速率高达9600MT/s,与初代产品相比容量提升50%,DRAM Die级别能效提升超过20%。
针对数据中心AI系统,192GB SOCAMM2在测试中可将TTFT(首Token延迟)缩短80%以上,并能在Vera Rubin NVL144机架系统中提供超过40TB的CPU内存(注:每系统36颗CPU,每颗CPU配备6根SOCAMM2)。

美光高级副总裁兼云存储业务部门总经理Raj Narasimhan对此表示:
随着人工智能工作负载日趋复杂且要求不断提高,数据中心服务器必须在提升能效的同时,实现每瓦特功率处理更多数据的目标。
美光在低功耗DRAM领域的技术领先地位已获得业界验证,我们确保SOCAMM2内存模组能够提供满足数据中心级标准的数据吞吐量、能效表现、存储容量与运行品质——这些特性对于驱动新一代AI数据中心服务器至关重要。
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