三星增购High NA光刻机，加速2nm芯片量产布局
10月20日消息，据行业报道，三星电子计划加大对极紫外光刻（EUV）设备的投资力度，将采购新一批先进EUV光刻机。
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据了解，三星存储业务部门将专门配置五套标准EUV设备，以建设独立生产线。此前，三星位于平泽的晶圆代工厂与存储生产线曾共用EUV设备资源。
与此同时，三星还将为晶圆代工业务新增两套最先进的High-NA EUV设备。据规划，这两套设备将分别于2025年底和2026年初完成交付，主要用于2纳米制程的全线量产。其中一套预定部署在华城厂区，另一套则有望落户泰勒晶圆厂。
数据显示，单套标准EUV设备的成本约3000亿韩元（约合人民币15亿元），而High-NA EUV设备的单价则高达5500亿韩元（约合人民币28亿元）。
由此测算，三星在EUV领域的总投资规模约达2.6万亿韩元，这一举措充分彰显了其在2纳米晶圆代工领域抢占技术制高点的决心。
High-NA EUV光刻机被誉为下一代芯片制造的关键技术。与传统EUV设备相比，新一代设备可实现1.7倍精度的电路图案成像，晶体管线宽密度提升至2.9倍，光学精度更实现40%的显著提升。
这项技术突破对生产更高密度、更节能、性能更强大的2纳米代工芯片至关重要，同时也将推动先进存储产品（如垂直通道晶体DRAM及第六代HBM4）的技术发展。
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