在1.4纳米这一尖端制程节点上，英特尔与台积电目前确实处于领先梯队。尽管两家企业的技术底层架构存在显著差异——英特尔坚持自有工艺路线，台积电则完全走代工逻辑——但双方最新推出的工艺在命名上却殊途同归，均收敛至“1.4纳米”这一制程档位。台积电的A14制程工厂计划于明年正式投产；而英特尔方面，由于市场需求异常旺盛，也决定加快14A工艺的推进节奏。泰瑞达晶圆厂、苹果等核心客户早已提前排队，等待产能分配。
不过，三星近期也有了新动向。有消息指出，三星已悄悄重启代号SF1.4的1.4纳米晶圆代工工艺研发计划。该项目原本定于2027年实现量产，但根据最新调整的时间表，已推迟至2029年。
具体来看，三星电子这款面向市场的1.4纳米工艺，最初规划就是明年投产。但从当前策略分析，三星的思路非常清晰：优先将2纳米（SF2）及其改良版工艺（SF2P）打磨成拳头产品。推迟1.4纳米量产时间，目的是集中优势资源，全面夯实2纳米系列的市场竞争力。
当然，研发工作并未停摆。三星正联合海内外供应链合作伙伴，共同推进配套制程设备的研发，为SF1.4工艺的最终落地铺路。首批全新设备将直接交付至三星最顶级的半导体研发中心——NRD-K。应用材料、泛林半导体等行业巨头，是三星在这一环节的核心合作厂商。
从路线规划来看，三星此前暂缓1.4纳米研发，初衷正是将资源集中到SF2、SF2P等2纳米工艺上。事实证明，2纳米系列的良率表现确实更为稳定，后端生产线配套也已提前优化到位。相比之下，1.4纳米工艺几乎需要从零搭建完整产线，并采购新一代高端设备，因此重启项目必然耗费更长时间。
在设备层面，极紫外光刻机龙头ASML已向三星NRD-K研发中心交付了高数值孔径极紫外（High-NA EUV）光刻机。从当前布局推断，三星大概率会将这台设备优先用于1.4纳米制程。此外，三星的野心不止于逻辑工艺——他们还规划了下一代V12闪存的研发，目标是在2030年前实现投产；再往后，到了2030年及以后，三星还打算通过多层堆叠技术，冲击千层以上的闪存架构。
英特尔方面，近期也宣布启动18A-P工艺的试产。这是18A的迭代版本，性能指标进一步提升。值得注意的是，台积电目前尚未引入高NA EUV设备，这一点或许会成为三星相对台积电的一个竞争优势。不过，台积电同样在紧锣密鼓地研发比A14更早的A16工艺。总体来看，英特尔与台积电的1.4纳米级工艺落地时间，将比三星提前约一年。正是在这一背景下，三星定于2029年量产的1.4纳米工艺，成为其在晶圆代工领域与两大巨头抗衡的关键战略筹码。
