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三星半导体将推CXL 3.1内存与512TB PCIe 6.0 SSD

三星半导体将推CXL 3.1内存与512TB PCIe 6.0 SSD

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2025-12-10

9月29日,三星电子副总裁Kevin Yoon在GMIF 2025创新峰会上透露,公司即将推出多款面向人工智能应用的存储解决方案,涵盖新一代CXL内存模块和大容量固态硬盘产品线。

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三星半导体:CXL

据Kevin Yoon介绍,三星半导体已经顺利完成CXL 2.0 CMM内存模块的量产工作,下一代基于CXL 3.1/PCIe 6.0标准的CMM-D解决方案将于2026年面市。

在NAND闪存技术方面,这位高管透露即将推出的PCIe 6.0固态硬盘PM1763表现抢眼,仅需25W功耗就能实现性能翻番和60%的能效提升。针对超高容量市场需求,三星将在未来两年陆续发布256TB(PCIe 5.0)和512TB(PCIe 6.0)的EDSFF 1T规格产品。

针对介于传统DRAM和NAND之间的新型存储技术,Kevin Yoon表示三星正在研发第七代Z-NAND技术,这项专为GIDS(GPU直接存储)场景优化的解决方案将提供突破性的数据传输速率。

来源:https://www.ithome.com/0/886/583.htm
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