8月21日最新消息显示，英伟达正式披露将自主研发采用3纳米工艺的HBM内存Base Die芯片。根据计划，该项目将于2027年下半年启动小规模试产，这一战略举措将有效填补英伟达在HBM技术生态上的关键缺口。
值得注意的是，英伟达未来在HBM供应链上将采取"存储厂商DRAM Die+自主研发Base Die"的创新组合模式。这种垂直整合的深度布局，预示着该公司在高性能计算存储架构领域正迈出更具野心的步伐。
在当前AI芯片发展中，HBM技术已成为突破"内存墙"瓶颈的核心解决方案。从A100到最新Blackwell Ultra系列产品线，HBM在芯片总成本中的占比已突破50%大关。目前全球HBM市场由SK海力士、三星和美光三大巨头把控，其中SK海力士保持着领先的市场份额。
随着HBM4技术迭代临近，业界对传输速率的要求已提升至10Gbps以上，这就要求Base Die必须采用高端逻辑制程工艺。而这类先进制造工艺的实现，很大程度上需要依赖台积电等顶尖晶圆代工厂的技术支持。
英伟达此次自主研发Base Die的布局，不仅着眼于提升供应链话语权，更关键的是希望通过引入创新架构特性，显著优化HBM与GPU/CPU之间的数据交互效率，从而强化其对NVLink-Fusion开放架构生态体系的主导能力。
这一战略突破无疑将对现有存储芯片市场格局产生深远影响。英伟达的强势入场，将打破SK海力士等传统存储大厂长期构筑的技术壁垒，迫使这些企业从整体方案提供商转型为组件供应商角色。与此同时，混合键合、新型中介层等配套技术的需求有望迎来爆发式增长，这将为上游材料与设备产业带来新的发展机遇。
业内专家分析认为，虽然英伟达的Base Die方案可能短期内难以获得云计算服务巨头的直接采用，但其模组化设计理念却为联发科、世芯等合作伙伴提供了可观的技术红利。随着英伟达与SK海力士在HBM4量产进程上的竞速加剧，整个HBM市场即将进入新一轮的洗牌与变革周期。
