英伟达自研HBM内存Base Die计划曝光:2027下半年试产,补齐AI算力短板
8月21日最新消息显示,英伟达正式披露将自主研发采用3纳米工艺的HBM内存Base Die芯片。根据计划,该项目将于2027年下半年启动小规模试产,这一战略举措将有效填补英伟达在HBM技术生态上的关键缺口。
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值得注意的是,英伟达未来在HBM供应链上将采取"存储厂商DRAM Die+自主研发Base Die"的创新组合模式。这种垂直整合的深度布局,预示着该公司在高性能计算存储架构领域正迈出更具野心的步伐。
在当前AI芯片发展中,HBM技术已成为突破"内存墙"瓶颈的核心解决方案。从A100到最新Blackwell Ultra系列产品线,HBM在芯片总成本中的占比已突破50%大关。目前全球HBM市场由SK海力士、三星和美光三大巨头把控,其中SK海力士保持着领先的市场份额。
随着HBM4技术迭代临近,业界对传输速率的要求已提升至10Gbps以上,这就要求Base Die必须采用高端逻辑制程工艺。而这类先进制造工艺的实现,很大程度上需要依赖台积电等顶尖晶圆代工厂的技术支持。
英伟达此次自主研发Base Die的布局,不仅着眼于提升供应链话语权,更关键的是希望通过引入创新架构特性,显著优化HBM与GPU/CPU之间的数据交互效率,从而强化其对NVLink-Fusion开放架构生态体系的主导能力。
这一战略突破无疑将对现有存储芯片市场格局产生深远影响。英伟达的强势入场,将打破SK海力士等传统存储大厂长期构筑的技术壁垒,迫使这些企业从整体方案提供商转型为组件供应商角色。与此同时,混合键合、新型中介层等配套技术的需求有望迎来爆发式增长,这将为上游材料与设备产业带来新的发展机遇。
业内专家分析认为,虽然英伟达的Base Die方案可能短期内难以获得云计算服务巨头的直接采用,但其模组化设计理念却为联发科、世芯等合作伙伴提供了可观的技术红利。随着英伟达与SK海力士在HBM4量产进程上的竞速加剧,整个HBM市场即将进入新一轮的洗牌与变革周期。

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