华为麒麟芯片将迎重大升级：国产N+3工艺突破5nm制程

8月18日消息，华为麒麟处理器或将迎来重大技术突破。据数码博主最新爆料，此前业内热议的国产N+3工艺（据传达到125MTr/mm晶体管密度）消息基本属实。

该博主分析指出，从公开专利显示的H210G56技术指标推算，其布线密度正好对应125MTr/mm的水平。这意味着，一旦该工艺实现量产，国产5nm制程工艺将取得实质性突破。

据了解，中芯国际研发的N+3工艺具有显著的晶体管密度优势，达到125MTr/mm（即每平方毫米125亿个晶体管）。这一数据介于台积电N6工艺（113MTr/mm）和三星早期5nm工艺（127MTr/mm）之间，整体性能接近台积电5.5nm工艺水准。

若以14nm工艺（密度约35MTr/mm）为基准，N+3工艺的密度提升幅度超过250%，充分展现了中芯国际在FinFET架构上的持续创新能力。

需要说明的是，虽然N+3工艺命名容易让人联想到"等效5nm"，但其实际性能功耗表现更接近台积电N7P（7nm增强版）和N6工艺。在相同晶体管数量下，相比台积电N5/N4工艺，N+3的能效可能还有15%-20%的差距，这主要是受限于EUV光刻机短缺导致的工艺复杂度不足。不过对于长期受制于成熟制程的国产芯片产业而言，这一突破已经足以打破多项技术瓶颈。

业内人士分析认为，若华为海思麒麟芯片采用N+3工艺，其性能有望接近高通骁龙888水平，完全能够满足中高端手机市场需求。有消息称，即将发布的麒麟9300处理器可能会率先搭载这一先进工艺。