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超越日本!我国第一台纳米压印光刻机交付:线宽小于10nm

超越日本!我国第一台纳米压印光刻机交付:线宽小于10nm

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2025-08-05

8月5日,璞璘科技自主研发的首台PL-SR系列喷墨步进式纳米压印设备成功通过验收,正式交付国内特色工艺客户投入应用。该设备已在存储芯片、硅基微显示、硅光子器件和先进封装等芯片研发环节完成初步验证。

这一突破意味着我国高端半导体装备制造能力迈上新台阶。

璞璘科技PL-SR系列设备示意图

据了解,PL-SR系列设备在技术上取得多项关键进展:突破了步进硬板非真空全贴合操作、喷胶与薄胶压印工艺、压印胶残余层精准调控等难点,可满足线宽小于10纳米的光刻精度需求。

设备还搭载了自主开发的模板表面形态调控系统、喷墨打印算法体系和光刻胶材料适配方案,配合专属软件控制系统,形成完整的工艺链支持。

纳米压印技术参数示意图

喷墨算法系统界面

当前全球纳米压印技术领域,日本企业处于领先地位,例如佳能推出的FPA-1200NZ2C机型可实现14纳米线宽,据称可支持5纳米芯片制造。相比之下,璞璘科技在技术指标上已实现超越,但需注意的是,这并不等同于具备5纳米及以下芯片的批量生产能力。

纳米压印技术虽避免了EUV光刻系统复杂的能源与光源需求,显著降低了设备成本和能耗,但其生产效率仍远低于传统光刻技术,且主要适用于结构相对简单的芯片类型。

纳米压印与光刻技术对比

技术应用场景示意图

再来深入了解PL-SR系列的关键技术创新。

该设备在喷墨涂胶工艺上取得重要突破,解决了多个技术瓶颈,尤其在喷涂型纳米压印材料方面实现显著进展。

在半导体级芯片压印过程中,常需处理变占空比、多周期变化的纳米结构。这类复杂图形要求对局部胶量进行精确调控,根据结构特征动态调整压印胶喷涂量,以获得均匀的超薄残余层。

PL-SR系列通过创新材料配方与工艺优化,提升了胶滴密度与铺展性能,成功将压印膜厚控制在纳米级别——平均残余层厚度小于10纳米,厚度波动低于2纳米,压印结构深宽比超过7:1。

同时,研发团队还开发了多款适配喷胶步进工艺的压印胶体系,特别推出了可溶剂清洗的光固化纳米压印胶,有效避免昂贵石英模板被残留胶污染的风险,为高精度步进压印提供了可靠的材料支持。

压印胶性能参数图

材料体系示意图

PL-SR系列还攻克了纳米压印模板形态控制的技术难关。

在极小线宽压印工艺中,使用的硬质石英模板与硅晶圆基片存在天然的翘曲差异,这就要求在整个压印过程中对模板形态进行实时调控,才能实现完美贴合。

此外,高端芯片极细结构压印所需的光刻胶用量极微,仅约数十纳米厚度,进一步增加了模板与基片紧密贴合的难度。璞璘科技自主开发的模板形态控制技术,正是针对这些挑战提供了有效解决方案。

模板贴合过程示意图

脱模过程示意图

与光刻工艺类似,纳米压印完成后需进行刻蚀工序,这对压印的均匀性与稳定性提出极高要求,特别是残余层厚度的控制尤为关键。

针对这一技术难点,璞璘科技对设备、材料及工艺系统进行整体优化,实现了无残余层压印工艺。

残余层控制效果图

工艺优化示意图

PL-SR系统作为通用型重复步进纳米压印平台,不仅具备高效高精度的压印能力,还支持复杂结构的精确拼接。

系统采用高精度喷墨涂胶方案,配合精密的定位功能,可满足高精度拼接所需的定位要求。

此外,该重复步进压印系统还支持模板拼接功能,最小可采用20毫米×20毫米压印模板进行均匀拼接,最终实现300毫米晶圆级超大面积的图形化加工。

模板拼接示意图

晶圆级压印效果图

来源:https://news.mydrivers.com/1/1066/1066402.htm
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