据市场消息，国产DUV（深紫外）光刻机已正式迈入量产阶段。The Information援引知情人士透露，今年计划生产5台，明年产量将提升至20台。首批设备将在年内交付给中芯国际、华虹宏力半导体以及长鑫存储，逐步融入其生产流程。当然，新设备在正式量产前仍需跨越一道关键门槛——精度、可靠性与兼容性均需经过严格验证，这一过程可能耗时数月甚至更长时间。
在技术参数方面，这款国产DUV光刻机搭载了193nm波长的氟化氩（ArF）激光器，采用浸没式光刻技术，以水作为折射介质，并配合多重图形化工艺，能够实现纳米级别的芯片特征尺寸制造。简而言之，DUV技术是当前芯片制造产业链中的关键环节，可满足7nm及以上制程芯片的生产需求。
谈到DUV光刻机，业界最熟悉的莫过于荷兰ASML公司，其在该领域已深耕数十年。早在2004年，英特尔和台积电便开始采用浸入式DUV光刻技术。正是凭借DUV光刻机的技术优势，ASML成功超越尼康，并在2020年之后稳居全球光刻机龙头地位，这一领先优势延续至今。
从出货量来看，去年ASML共计交付了131台DUV光刻机，今年预计出货量约为130台。目前ASML最先进的DUV机型为TWINSCAN NXT:2150i，每小时可处理超过310片晶圆，配合自对准四重图案化技术（SAQP），甚至能生产7nm乃至5nm制程的芯片。这样的技术积淀，确实难以在短时间内实现追赶。
