先说说半导体行业的一个核心判断：在先进制程这场马拉松中，台积电目前依然遥遥领先，但这并不意味着后发者没有机会。日本Rapidus最近就给出了一份相当具体的追赶时间表，为芯片代工竞争格局注入了新的变数。

据《日经XTECH》报道，Rapidus首席技术官石丸一成近期接受专访，透露了他们的雄心：目标是在1nm节点，将公司与台积电的技术差距缩小到半年左右。这显然不是一项轻松的任务——要知道在2nm节点上，双方的差距还远不止这个数字。

坦率地说，Rapidus的起步阶段确实有些磕磕绊绊。石丸一成自己也承认，2025年7月他们宣布启动2nm GAA（全环绕栅极）试制时，晶体管的表现并不理想。说白了，整个流程都显得仓促，工艺技术和生产设备尚未完全就绪。好在从去年9月到11月，团队进行了一轮快速迭代，2nm性能终于实现了质的飞跃。按照规划，他们将在2026年底开始为客户生产2nm测试芯片，为2027年的正式量产铺平道路。

更重要的是，Rapidus并不打算在2nm上停留太久。作为从2nm到1nm的过渡节点，1.4nm的全面研发将在2026年内启动，并计划于2029年实现量产。在这场技术冲刺中，Rapidus手中一张关键牌，就是与IBM的深度合作。据悉，他们有一半的工程师驻扎在美国纽约州，直接参与联合研发。这种“借力打力”的策略，才是拉近与台积电差距的核心所在。