消息称三星电子 SF1.0 工艺采用 forksheet 器件结构,目标 2030 年前开发
三星电子计划在2030年前开发基于 forksheet 结构的 1nm SF1.0 工艺
近日,半导体制造领域传出重要技术进展。据《韩国经济日报》3月31日援引行业内部人士消息,三星电子晶圆代工厂已经制定了一项直至2030年的详细技术路线图。该计划的核心目标是,在2030年之前完成1纳米(1nm)级别尖端制程——即SF1.0工艺——的研发,并将其成功导入批量生产阶段。此举标志着三星正全力向全球最先进的芯片制造技术发起冲击。
那么,备受业界关注的SF1.0工艺究竟有哪些技术亮点?报道披露,该工艺将采用一种名为“forksheet”(叉片)的新型晶体管架构。本质上,这是对当前主流的纳米片全环绕栅极技术的一次关键性演进。通过在标准结构中介入一道特殊的介质隔离墙,该设计能实现对相邻晶体管单元更有效的电气隔离。这一结构性改良绝非微小调整,它能够显著提升芯片的晶体管集成密度与整体运算性能。
深入来看,forksheet结构技术路线又衍生出两种主要设计方案:其一是“内壁”型,即介质隔离墙被精确置于n型晶体管与p型晶体管之间;其二是“外壁”型,隔离墙则被布局在p-n结的外围区域。这两种技术路径在性能、功耗与制造复杂度上各有侧重,如何权衡与优化将成为未来工艺开发的核心挑战与看点。


毋庸置疑,通往1纳米制程的道路并非一蹴而就。在实现SF1.0这一终极目标前,三星的先进制程路线图已设定了关键的中期节点。报道进一步指出,三星计划于2027年率先实现SF2P+工艺的量产与商业化应用。更具里程碑意义的是,特斯拉已确认其下一代人工智能芯片AI6将采用三星的SF2T工艺,并同样规划在2027年投入量产。这不仅是对三星代工技术实力的有力验证,也预示着未来几年在高端AI芯片与高性能计算赛道的竞争将空前激烈。总体而言,从2纳米迈向1纳米的每一次工艺迭代,都如同在逼近物理极限的边缘探索,三星能否如期兑现这份雄心勃勃的技术蓝图,全球半导体产业正屏息关注。
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