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台积电3nm工艺生产特斯拉AI5芯片

时间:2026-07-24 19:58
特斯拉AI5芯片采用双源策略,三星版基于2nmGAA工艺,而台积电版采用3nmFinFET工艺并由创意电子设计。台积电版流片进度领先三星版一个季度,但三星版制造成本更高。此外,双源策略可降低供应链风险,保障产能。

先梳理几个核心要点:特斯拉在AI芯片领域的布局,正采用双线并行的策略——既与三星合作,也离不开台积电。具体来看,AI6系列芯片采用了双源供应模式,其中AI6基于三星的2nm工艺,而AI6.5则转向台积电的2nm节点。这背后不仅是技术路线的选择,更是一场供应链层面的博弈。

到了AI5这一代,同样的双源策略继续延续。三星版本的AI5已完成流片,同样基于2nm工艺。但据台媒《工商时报》报道,台积电版本的AI5则选择了3nm节点,设计合作伙伴为创意电子(GUC)。值得注意的是,台积电版本的流片进度反而比三星版本早了整整一个季度。

这里有一个值得关注的差异:三星的2nm采用GAA晶体管架构,而台积电的3nm仍沿用FinFET结构。这意味着两版AI5在芯片设计的物理实现层面存在本质区别——从底层晶体管结构到电路布局,都必须重新设计。可以预见,三星代工版AI5的制造成本会更高,因为GAA工艺本身更为复杂,而且从结果来看,其流片时间也晚了整整一季,对特斯拉而言,时间成本同样是一笔不小的账。

来源:https://www.163.com/dy/article/L2K15KJD0511B8LM.html
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