2025年3月12日，在CFMS 2025/MemoryS 2025中国闪存市场峰会现场，铠侠重磅发布了一系列面向AI应用场景的全新存储规划。这家存储巨头不仅带来了针对人工智能的专用存储方案，还提前预告了新一代QLC企业级与数据中心级SSD，以及下一代BiCS FLASH™技术。总体来看，这些举措均围绕一个核心目标：为云端计算与大模型加速提供更高效、更可靠的底层存储支撑。
QLC SSD赋能AI应用场景
以DeepSeek为代表的AI应用正在推动企业服务器与数据中心加速升级。业界关注点已不再局限于AI加速的计算成本——存储密度与效能正成为新的焦点。一个显著变化是，随着AI应用场景日益丰富，原本被视为“冷数据”的部分正逐步向“温数据”转变。传统HDD已难以同时应对高速读写需求与每年EB级别膨胀的数据量，SSD全面上位已成为必然趋势。
在企业级SSD方案中，QLC技术被普遍视为提升单位空间存储密度的关键路径。数据表明：铠侠第八代BiCS FLASH™ 2Tb QLC的位密度相比第五代BiCS FLASH™ QLC产品提升了约2.3倍，写入能效比也提升了约70%。这一组数字背后，体现的是实实在在的存储效率革新。
搭载QLC技术的铠侠企业级SSD已蓄势待发。新一代LC9系列最高容量可达122.88 TB，支持PCIe® 5.0与NVMe™ 2.0，并采用双端口设计。这种规格组合，近乎是为密集型读取、大模型加载、AI推理等高负载场景量身定制。
不仅如此，针对数据中心与超大规模计算环境，铠侠还推出了符合前瞻性EDSFF规范的XD8系列。E1.S规格设计能帮助数据中心在新一代规范下进一步压缩空间、提升存储密度，这对于追求高性能、高效率和可扩展性的AI数据中心而言，无疑是更优选择。
下一代BiCS FLASH™蓄势待发
在积极推进SSD产品落地的同时，铠侠已将目光投向更远的技术规划。基于CBA技术的下一代BiCS FLASH™已处于蓄势待发状态。这项技术的关键在于能够很好地平衡每GB的产能、成本与性能，进一步优化存储效率，从而帮助客户获得更具竞争力的存储方案。
从具体指标来看，下一代BiCS FLASH™将实现4.8Gb/s的接口速度，相比第八代产品提升33%；堆叠层数达到332层，位密度大于29Gb/mm²，提升幅度高达59%；数据输出能效也提升了34%。可以说，这一代技术目标非常明确：为即将到来的PCIe® 6.0和PCIe® 7.0时代做好全面准备。
与此同时，已量产的BiCS FLASH™技术也在与终端产品进行深度融合。在QLC UFS 4.0、车规级UFS 4.0以及移动端等各类应用场景中，都能看到它的身影，为客户提供了相当丰富的存储选择。
峰会现场，铠侠技术执行官柳茂知（Shigenori Yanagi）直言：“人工智能应用需求的增长，给数据中心技术建设带来了全新挑战。凭借先进的NAND闪存技术和丰富的企业级产品经验，铠侠提供的SSD产品能够提高数据中心的能效、存储密度、性能和可靠性。同时，铠侠也将与中国客户建立深度合作关系，为AI提供更为高效的存储方案。”
铠侠电子（中国）有限公司董事长兼总裁岡本成之则对今年的存储行情表现出十足的信心。他认为DeepSeek成为全球热点话题，为2025年的发展提供了巨大的想象空间，整个行业势必会借AI东风阔步向前。
当然，CFMS 2025现场分享的这些内容，只是铠侠技术版图的一部分。可以预见，铠侠将持续推动先进存储技术的研发，将技术与热门应用紧密结合，并与中国客户深化合作。最终目标很明确：共同推进整个存储行业快速向前，为客户交付高效、稳定、可靠的存储解决方案。
关于铠侠
铠侠是全球存储器解决方案领导者，致力于开发、生产和销售闪存及固态硬盘（SSD）。东芝公司于1987年发明了NAND闪存，2017年4月，铠侠前身东芝存储器集团从东芝公司剥离。铠侠致力于通过提供产品、服务和系统，为客户创造选择并为社会创造基于记忆的价值，以“记忆”提升世界。铠侠的创新3D闪存技术BiCS FLASH™，正在塑造诸多高密度应用的未来存储方式，涵盖高级智能手机、PC、SSD、汽车、数据中心和生成式AI系统。
截至 2025 年 3 月 13 日。
*存储容量：使用 1MB（1 兆字节）= 1,000,000（10 的 6 次方）字节、1GB（1 千兆字节）= 1,000,000,000（10 的 9 次方）字节和 1TB（1 太字节）= 1,000,000,000,000（10 的 12 次方）字节计算。但是，如果计算机操作系统使用 1GB = 1,073,741,824 （2 的 30 次方）字节作为硬盘容量的计算方法，则显示的容量会小于硬盘容量。硬盘容量因文件大小、格式化、设置、软件、操作系统和其他因素而异。
PCI-SIG 和 PCIe 是 PCI-SIG 的商标。
*NVMe 是 NVM Express, Inc. 在美国或其他国家的注册商标或商标。
*本文提及的其他产品和服务名称可能是其各自公司的注册商标或商标。
