存储芯片的涨价浪潮不仅没有丝毫减退的迹象，反而呈现出愈演愈烈的态势。随着AI算力需求爆发式攀升，叠加产能端结构性紧缺，整个行业正被推向前所未见的涨价周期——甚至有研究机构预测，到2027年，我们或将面临史上最严重的供应短缺局面。
根据研究机构DigiTimes的最新报告，AI需求激增与产能瓶颈共同施压，高带宽内存（HBM）价格预计将在2027年实现翻倍。具体来看，下一代HBM4的价格，可能从2026年下半年约2美元/千兆比特，一路攀升至4至5美元，甚至更高。这一上涨背后，主要源于两个现实的生产痛点：第一，HBM4的制造工艺难度极高，生产周期长达4至6个月，初期良品率自然偏低；第二，生产HBM所需的晶圆面积是普通DDR5内存的整整3倍，这意味着现有产线的产能释放空间被大幅压缩。
目前，全球HBM三大主要生产商——三星电子、SK海力士和美光科技，正通过签订三至五年的长期协议，提前锁定全球内存供应。DigiTimes预判，到2027年，全球近半数的DRAM产能将被这些大客户包揽，中小厂商几乎无法获得供货份额。供应链消息同时透露，2027年AI硬件将持续存在根本性的供货缺口。到2026年底，芯片厂商的议价权将达到顶峰，那些未能提前签订长期供货协议的消费电子企业，可能面临严重的内存断供危机。一个值得关注的数据是：今年部分供应商的DDR5利润率已突破80%，这迫使芯片制造商对HBM提出更高的定价要求。
存储芯片巨头的市场动作，也在印证这一强劲趋势。美东时间7月10日，SK海力士通过美国存托凭证（ADR）在美股市场首次亮相，发行规模高达265亿美元，ADR价格当天大涨超过12%，较韩股普通股股价存在显著溢价——这充分说明市场对存储芯片前景的看好程度。
通用存储产品同样在持续涨价。全球第二大存储模组企业——威刚的董事长陈立白近日透露，2026年第三季度存储芯片将继续涨价。他明确表示，存储器原厂已通知第三季度DRAM合约价将上涨20%至30%，NAND Flash将调涨35%至40%。当前三大存储原厂2026年绝大部分产能早已提前订满售出，不少客户已开始洽谈2027年及更长期的供货合约。
多家机构也纷纷发布报告，预计存储芯片价格将延续上涨走势。TrendForce（集邦咨询）最新报告指出，第三季度整体DRAM格局持续极度紧缺，预计合约价将季增13%—18%；NAND Flash方面，主要需求仍由AI推理与大型数据中心建设支撑，预计整体合约价将季增10%—15%，不过涨价幅度较前几季已明显收窄。此外，瑞银在7月发布的最新报告中，大幅上调了存储芯片价格预期：DRAM报价预计在第三季度上涨32%（此前预期为17%），第四季度再涨18%（此前预期为12%）；NAND Flash报价预计在第三季度上涨30%，第四季度再涨12%。
