存储芯片的涨价浪潮显然没有止步的迹象。

研究机构DigiTimes最新报告指出，在AI需求爆发与产能结构性瓶颈的双重作用下，高带宽内存（HBM）价格预计在2027年实现翻倍。同时，SK海力士CEO郭鲁正表示，2027年将成为存储芯片行业供应短缺最为严峻的一年。种种迹象显示，这轮涨价潮非但没有降温，反而愈演愈烈。存储模组大厂威刚董事长近日也透露，2026年第三季度存储芯片价格将继续上涨。

价格或将翻倍

当地时间7月10日，DigiTimes最新报告援引业内人士观点，AI算力需求爆发与产能结构性紧缺共同推动HBM价格预计在2027年翻倍。具体而言，下一代HBM4的价格可能从2026年下半年约2美元/千兆比特飙升至4至5美元，甚至更高。

价格飙升的根源在于生产端的两大瓶颈：其一，HBM4制造工艺极为复杂，生产周期长达4至6个月，初期良品率较低；其二，生产HBM所需的晶圆面积是普通DDR5内存的3倍，现有产线的产能释放空间被大幅压缩。

当前全球HBM三大主要厂商——三星电子、SK海力士和美光科技，正通过与顶级AI客户签订三到五年的长期协议，锁定全球内存供应。DigiTimes预测，到2027年，全球近半数DRAM产能将被大客户包揽，中小厂商获取供货份额将极为困难。

供应链消息进一步透露，2027年AI硬件将面临持续的根本性供货缺口。到2026年底，芯片厂商的议价能力将达顶峰，未提前签订长期供货协议的消费电子企业可能遭遇严重的内存断供危机。

今年，部分供应商的DDR5利润率已突破80%，这促使芯片制造商要求更高的HBM定价，以证明从传统DRAM生产线转移的合理性。供应紧缩、涨价预期，正在成为存储芯片板块的强劲催化剂。

美东时间7月10日，韩国存储芯片巨头SK海力士通过美国存托凭证（ADR）在美股市场首次亮相，创下历史纪录的265亿美元发行规模。其ADR价格大涨超12%，较韩股普通股股价存在显著溢价，显示出美股存储芯片板块巨量交易的强劲势头。

SK海力士首席执行官郭鲁正表示，全球存储芯片行业正经历史上最严重的供应短缺，预计2027年将成为行业供应最紧张的一年。尽管公司正积极扩充产能，但他预计，存储芯片需求仍将持续超过公司生产能力，并延续至2030年以后。

存储模组大厂释放重磅信号

全球第二大存储模组企业——威刚董事长陈立白近日透露，2026年第三季度存储芯片将继续涨价。他表示，第三季度DRAM与NAND Flash价格将再度大幅上调，两大产品线涨势明确，存储产业的上升通道仍在加速。

陈立白透露，存储器原厂已通知第三季度DRAM合约价将上涨20%至30%，NAND Flash将调涨35%至40%。两大产品线价格均维持上升趋势，将持续推动威刚业绩表现。他还提到，当前三大存储原厂2026年绝大部分产能早已提前订满售出，不少客户已经开始洽谈2027年及更长期的供货合约。

威刚表示，随着AI算力需求持续扩张，厂商分配给通用DRAM、消费级固态硬盘NAND闪存的产能持续缩减，本就处于供给最紧张阶段的存储市场供需矛盾将进一步加剧。2027年内存、固态硬盘产品的供货紧缺问题或将进一步恶化。

在此之前，多家机构也发布报告预计2026年第三季度存储芯片价格将继续上涨。据TrendForce（集邦咨询）最新发布的存储器价格调查报告，第三季度整体DRAM格局持续极度紧缺，但因消费级应用需求下修及高价格基数原因，合约价涨幅收敛，预计将季增13%至18%。

NAND Flash方面，集邦咨询认为，主要需求仍由AI推理与大型数据中心建设支撑，但因合约价格已达历史高点，消费端客户在需求放缓的情况下，对价格承受力已达极限，预计整体NAND Flash合约价将季增10%至15%，涨价幅度较前几季明显缩减。

瑞银在7月发布的最新报告中大幅上调存储芯片价格预期，称DRAM报价将在第三季度上涨32%（此前预期17%）、第四季度再涨18%（此前预期12%）；NAND Flash报价预计在第三季度上涨30%，第四季度将再涨12%。

排版：罗晓霞 校对：高源