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苹果启动长鑫存储DRAM芯片测试 拟用于中国销售设备

时间:2026-07-09 11:53
苹果已开始测试长鑫存储DRAM芯片,计划用于中国市场的设备,并游说美国放宽限制。存储芯片涨价迫使苹果提价。长鑫面临地缘政治、技术差距和专利诉讼风险,初期或仅用于低端机型。长鑫为全球第四大DRAM厂商,但处于满产状态。

7月8日,一则来自英国《金融时报》的消息引发了不少关注:苹果已经开始测试长鑫存储(CXMT)的DRAM内存芯片,而且计划专门用在面向中国市场销售的设备上。不过,目前还只是评估阶段,并没有承诺商用量产。

消息称苹果启动长鑫存储DRAM芯片测试 拟用于中国市场销售设备

更值得琢磨的是,苹果正在美国科技企业中牵头游说华盛顿,希望放宽对长鑫存储产品的限制。此前苹果就已经在向美国政府申请采购长鑫存储DRAM的许可,同时还打算采购长江存储的NAND闪存。说白了,苹果想借中国供应商来给供应链上双保险,万一存储市场再起波澜,不至于被卡住脖子。

这波游说的背景也很直接——存储芯片的价格已经涨疯了。AI数据中心的疯狂需求,把三星、SK海力士、美光的产能几乎全拉去了高利润的HBM(高带宽内存)。结果消费级的DRAM和NAND Flash供应紧张,价格一路飙升。标准型DRAM合约价在2026年初涨了55%到60%,苹果不得不把MacBook、iMac、iPad等产品提价,部分Mac机型甚至涨了1000美元。这可是近十年来苹果最大规模的一轮硬件涨价。

那么,长鑫存储的DRAM芯片到底能不能顺利打入苹果供应链?美国银&行最新研报泼了一盆冷水,列出了三大障碍。

第一,地缘整治风险。长鑫存储被列入了美国国防部的1260H名单,虽然不是直接出口禁令,但已经触碰了敏感供应链的审查红线。美国对华半导体管制政策形成了一道实质性门槛。

第二,技术指标还有差距。苹果移动设备对LPDDR5X内存的要求很苛刻:传输速率要超过10Gbps、工作电压1.1V、还得搭载ECC纠错功能。长鑫的LPDDR5X最高速率能做到10.667Gbps,但受制于相对落后的制程工艺,芯片的寄生电容和漏电流偏高,功耗和散热表现很难完全匹配旗舰iPhone的严苛规格。

第三,专利诉讼的隐患。全球DRAM核心专利池几乎被三星、SK海力士和美光垄断。如果苹果大举采用长鑫的产品,很容易被第三方起诉侵权,供应链的法律成本和不确定性都会增加。

基于这些限制,美银的判断是:即便苹果最终用了长鑫存储的DRAM,初期也只可能限于iPhone 18e这类入门低端机型。而低端iPhone在中国市场销量本就疲软,实际采购订单体量有限,很难形成真正意义上的产业规模。

不过,多数分析师都认为,苹果这番动作有着鲜明的商业战略意图——拿长鑫存储当筹码,在跟三星、SK海力士、美光谈判2026年下半年或2027年的合约价格时,给自己多留点议价空间。

最后聊聊长鑫存储的行业位置。它已经是全球第四大DRAM芯片生产商,仅次于三星、SK海力士和美光。Omdia数据显示,按2025年第四季度销售额算,长鑫全球市场份额达到7.67%。去年它的DRAM晶圆产能约占全球的11%,随着合肥、上海、北京新生产线陆续投产,这个比例预计2028年能提升到15%。

但有意思的是,报道也提到长鑫目前处于满产状态,连中国本土企业的需求都很难完全满足。在这种情况下,它到底能不能给苹果大规模供货,恐怕还是个未知数。

来源:https://www.techweb.com.cn/it/2026-07-08/2977256.shtml
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