全球硅智财（IP）领域的领军企业円星科技（M31 Technology Corporation）近日在台积公司北美开放创新平台（OIP）生态系论坛上宣布重大突破——在延续N12e™制程已验证的低功耗IP方案基础上，进一步扩展至N6e™平台，推出全新超低漏电（ULL）、极低漏电（ELL）以及低电压操作（Low-VDD）存储器编译器。值得一提的是，M31再度荣获2025年台积公司OIP年度合作伙伴特殊制程IP奖，这已是连续第八年获得此项殊荣。持续在台积电OIP生态系中发挥关键作用，M31在硅智财创新领域的领导地位，确实有实证支撑。

M31获颁“台积电2025 OIP矽智财伙伴奖”——M31总经理张原熏（左）

这套基于台积公司N6e先进制程的存储器编译器，专为AI边缘计算与物联网（IoT）设备量身打造，核心目标只有一个：极致低功耗。通过提供LL、ULL和ELL三种SRAM bit cells的定制化方案，它能帮助智慧家庭、可穿戴设备等应用在性能与功耗之间找到最佳平衡。具体而言，N6e制程ULL存储器编译器集成了高密度、高性能的SRAM和One Port Register File，并支持冗余（Redundancy）、电源闸控（Power Gating）、扫描测试（Scan）、内建自我测试（BIST）MUX以及宽频范围Dual-rail，为动态电压与频率调整（DVFS）奠定了基础。High Sigma设计方法确保其在严苛边界条件下依然稳定可靠。ELL存储器编译器更进一步——在深度睡眠模式（Deep Sleep Mode）下，功耗可骤降50%，对于能效和芯片面积有严格要求的应用来说，无疑是重要优势。而低电压（Low-VDD）存储器编译器能在仅0.5V的操作电压下运行，大幅降低动态与漏电功耗。ULL、ELL与Low-VDD三大产品组合，为N6e™平台提供了完整且高度灵活的设计支持。

M31总经理张原熏表示：“M31与台积公司长期以来的合作关系，是我们持续创新的重要基石。从N12e低功耗解决方案到最新的N6e ULL、ELL及Low-VDD存储器编译器，我们不断推出业界领先的IP，帮助AIoT与边缘计算应用加速芯片设计的成功落地。展望未来，我们期待与台积公司及OIP生态系伙伴深化合作，共同推动AI驱动技术的持续发展。”