6月18日，全球存储芯片巨头SK海力士宣布重大进展：依托其在HBM领域长期积累的领先开发技术与量产经验，公司已成功向主要客户交付12层堆叠的HBM4E样品。SK海力士明确表示，接下来将与客户紧密协作，确保该产品按计划进入量产阶段。
相较于上一代HBM4，新款HBM4E在性能与能效方面实现了显著提升。其引脚传输速率最高可达16Gbps，能效提升幅度超过20%——这意味着AI训练与推理所需的数据处理能力得到了大幅增强。
此外，HBM4E通过新一代接口与设计优化，有效降低了数据传输延迟。即使在高带宽环境下，也能保持稳定运行。可以预见，该产品将为下一代AI数据中心及大规模运算系统带来实质性的效率提升。
在封装技术方面，SK海力士此次采用了先进的MR-MUF（批量回流模塑底部填充）工艺。简单来说，MR-MUF是指在堆叠半导体芯片后，向芯片之间注入液态保护材料并固化，从而形成对内部电路的保护。该技术使HBM4E实现了12层堆叠、48GB容量，同时增强了结构稳定性。相较于HBM4，热阻降低了约17%——这意味着在高效能运算环境下，产品运行更加稳定可靠。
SK海力士表示，基于在HBM3、HBM3E及HBM4上积累的量产与供货经验，公司能够持续为客户提供定制化的内存解决方案。未来，SK海力士将继续发挥经过市场验证的品质与供应能力，通过HBM4E与客户共同攻克AI系统的瓶颈问题，助力下一代AI基础设施建设。
SK海力士开发总监（CDO）社长安炫（Ahn Hyun）直言：要将公司迄今积累的业界领先技术竞争力和量产能力延续至HBM4E，进一步巩固持续引领AI创新的基础。通过与合作伙伴紧密协作，以前瞻性布局实现市场所需价值，强化SK海力士作为“全方位AI存储创造者”（Full Stack AI Memory Provider）的技术领导地位。
