半导体失效分析领域再添一款备受瞩目的国产高端设备。6月29日，安徽凌光红外科技有限公司正式推出LUXET VERITAS微光显微镜与激光诱导电阻变化二合一显微镜（EMMI+OBIRCH），一举填补了国内该领域的市场空白。
这意味着，一台设备即集成了EMMI微光检测与OBIRCH激光诱导电阻变化两大主流失效分析功能，真正实现“一机双用”。从芯片设计验证、量产良率提升到品质保障，这款设备能够覆盖半导体产业链中多数检测需求。
为何这则消息值得关注？随着全球半导体产业进入先进制程时代，芯片内部结构愈发精密复杂，电性失效分析已成为研发迭代与产线爬坡的核心环节。一旦漏电、短路、阻值异常等问题无法精准定位，整个流片周期和良率都将受到严重影响。
接下来看这台设备的硬核实力。其搭载深度制冷近红外相机，配合大口径自研1.35倍物镜，EMMI模块可精准定位纳安级（nA）微弱漏电——无论是PN结击穿、闩锁效应、栅极氧化层漏电，还是多晶硅缺陷，这些典型失效类型均能高效识别。OBIRCH模块采用1300nm标准激光波段、500mW额定功率，电流放大测量精度达pA级别，金属线路、导通孔、接触孔中隐藏的阻值异常，几乎无所遁形。
简而言之，这款二合一显微镜为国内企业提供了高端失效分析设备的可靠新选择，降低了对进口设备的依赖。对于芯片设计公司与晶圆厂而言，可谓实实在在的利好。
