4月14日消息，长江存储再度宣布重大产能扩张计划。据行业媒体报道，这家中国最大的NAND闪存制造商，计划在即将完工的一座晶圆厂基础上，再新建两座晶圆厂。待三座新厂全部建成投产后，整体产能将实现翻番以上的增长。
目前长江存储已有两座晶圆厂处于稳定运行状态，合计月产能达到20万片晶圆。而新规划的几座工厂，每座月产能均瞄准10万片。简单计算可知，新增产能规模极为庞大，将显著提升其全球供应能力。
第三座新工厂选址武汉，与现有两座晶圆厂同属一个园区，属于扩容扩建项目。据知情人士透露，该厂计划于今年晚些时候正式投入生产——目前厂房已竣工，设备安装工作正在紧张进行中。
值得关注的是，这座新工厂中超过50%的生产设备来自国内供应商，甚至包括用于芯片层垂直堆叠的关键设备也已实现国产化替代。如此高的国产化比例，在几年前还难以想象，标志着中国半导体设备自主能力的重大突破。
此外，新建的三座工厂中，将有一部分产能转向DRAM生产。具体产能分配比例，取决于长江存储在DRAM芯片研发方面的进展。这一布局，释放出长江存储在存储领域横向拓展产品线的强烈信号。
在市场份额方面，根据Counterpoint数据，2025年第三季度，长江存储全球NAND闪存出货量份额首次突破13%，正快速逼近排名第四的美光科技。这种追赶势头，令业界瞩目，展现了中国存储厂商的强劲竞争力。
一旦三期项目全面投产，长江存储的年产量有望从2025年的177万片提升至2026年的近200万片。这一数据表明，其产能爬坡速度正在持续加快，为全球存储市场注入新的变量。
最后来看技术层面。长江存储基于Xtacking 4.0架构的294层3D TLC NAND闪存已实现大规模量产，存储密度达到20Gb/mm²，读写速度超过7000MB/s，良率突破90%。这些核心技术指标，已与国际主流存储产品处于同一水准，彰显了国产NAND技术的快速进步。
