三星尚未完全确信自家先进的1.4纳米光刻工艺已成熟，在此背景下，2纳米GAA工艺预计还需经历多轮迭代。不过，这并不妨碍三星提前在新制程上试产下一代Exynos SoC——毕竟实验室阶段的流片与量产之间仍有显著差距。从早期泄露的规格细节来看，三星这次计划将CPU最高频率推至全新高度，更值得注意的是，系统级缓存（SLC）直接飙升到96MB，这个数字在手机芯片领域确实令人瞩目。
Exynos 2700尚未正式发布，但三星首款基于1.4纳米工艺的SoC参数已开始被外界挖掘。此前的传闻指出，三星在1.4纳米节点上进展缓慢，不得不暂时转向2纳米工艺，主要是为了优先确保良率稳定，而非与台积电在速度上硬碰硬。然而，初步细节显示，这款在1.4纳米工艺上流片测试的新Exynos芯片将采用10核CPU集群，排列方式为2+4+4——两颗Prime核心运行在4.50GHz，四颗性能核心3.80GHz，另配四颗能效核心2.00GHz。核心频率本身已足够抢眼，但真正令人惊叹的是那96MB的系统级缓存（SLC）。据爆料，这颗SoC还配备了超宽总线，专门用于压榨CPU与GPU之间的延迟。
SLC的原理并不复杂：将常用数据预先存储于缓存中，内存延迟自然下降，带宽也随之提升。缓存容量越大，CPU、GPU、NPU、ISP等模块就越无需频繁访问主存，整体运行速度更快、效率更高。然而硬币的另一面是，SLC会占据芯片晶圆相当大的面积——面积越大，量产成本就越高。目前市面上智能手机芯片最大的SLC为10MB，搭载于天玑9500上。从10MB直接跃升至96MB，意味着三星需要开发一块与现有手机主板尺寸完全不匹配的晶圆面积。当然，这款芯片未必一定用于手机，其他设备或许能够容纳它。话说回来，这终究只是早期规格，虽然听上去震撼，但仍需保持克制，等待更多实证信息。
