6月5日，半导体芯片制造领域迎来一项重要突破——璞璘科技（PRINANO）携手合作伙伴力策科技，采用真空气压式晶圆级纳米压印（NIL）图案化设备PL-AS，结合定制化双层压印胶材料体系与核心工艺，成功绕开传统DUV光刻路线，实现了8英寸光芯片晶圆的规模化量产。更值得关注的是，芯片制造成本被压缩至传统DUV方案的十分之一，为低成本光芯片制造开辟了新路径。

先来看这台PL-AS机台的核心参数：支持＜10nm的线宽分辨率，晶圆整面压印压力均匀性误差低于0.5%，支持无残余层压印工艺，对准精度可按需定制至百纳米级。与此同时，它还兼容平面或曲面衬底，硬质与柔性模板均可适配，展现出极高的工艺灵活性。

对比传统的辊压法晶圆级纳米压印技术，PL-AS通过面施力方式，确保晶圆上每一个纳米级单元受力完全一致，RLT偏差可控制在＜2nm以内。在吞吐量方面，它也显著高于步进式方案——例如佳能的NIL设备。换言之，该方案既解决了压印过程中的均匀性问题，又没有牺牲生产效率，堪称纳米压印技术落地光芯片制造的重要突破。

再来看成本优势的来源。PL-AS作为气压式设备，结构比DUV光刻机简单得多，无需昂贵的光学系统，同时还能搭配使用寿命更长的复合模板。这几项因素叠加后，成本差距自然被大幅拉开。行业长期以来一直期待纳米压印技术在光芯片领域实现真正落地，而此次合作无疑交出了一份极具说服力的答卷。