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三星HBM4E内存预计2026年第二季度正式推出

时间:2026-05-12 08:36
三星电子计划于2026年第二季度出样下一代HBM4E内存,推动AI内存市场热度。一季度DRAM与NAND闪存平均售价涨幅均接近90%,HBM销售额预计同比增长三倍。晶圆代工业务获得光通信组件订单,并将在下半年推进2nm及4nm产能扩张。显示业务则依靠差异化技术与新生产线驱动增长。公司正多线布局前沿技术领域。

三星2026年Q1财报解读:HBM4E样品即将推出,产能扩张计划全面启动

三星电子近日正式公布了2026年第一季度财务业绩报告,各核心业务板块的最新动态与战略规划也随之清晰呈现。其中,存储芯片业务的一项关键进展引发了行业高度关注:公司已确定将于2026年第二季度向客户提供下一代HBM4E内存的工程样品。这一举措无疑为当前持续升温的人工智能存储芯片市场,注入了新的技术动力与发展预期。

AI内存市场需求究竟有多旺盛?财报数据给出了有力佐证。在业绩说明会上,三星设备解决方案(DS)事业部存储器业务负责人披露,第一季度DRAM内存芯片的平均售价(ASP)环比涨幅突破90%,与此同时,NAND闪存芯片的平均售价增幅也接近90%。这种价格与销量同步走强的市场格局,直观反映了数据中心、AI服务器等领域需求的爆炸性增长。基于此强劲趋势,三星预测,其2026年度HBM内存的销售总收入有望实现同比高达三倍的增长。更具里程碑意义的是,从第三季度起,最新的HBM4产品线预计将贡献其HBM整体营收的50%以上,显示出先进技术迭代正快速驱动公司产品结构与盈利能力的升级。

目光转向半导体代工领域。该业务同样取得了显著突破:第一季度,三星成功获得了某全球领先光通信组件制造商的大额订单,这为其硅光子(SiPh)技术平台的商业化应用奠定了关键基础,未来在高速数据中心互连、共封装光学(CPO)等前沿市场潜力巨大。在先进制程方面,下半年规划尤为值得关注:第二代2nm工艺面向移动设备的产品将进入产能提升阶段,同时公司将加速扩大4nm存储专用工艺以及4nm低功耗(LPU)平台的产能。谈及产能布局,备受业界瞩目的美国泰勒晶圆厂项目进展明确——其首条生产线(Fab 1)将于今年内开始产能爬坡,并计划在2027年达到规模量产;而第二座晶圆厂(Fab 2)的建设方案,目前仍在最终评估与决策流程中。

此外,三星显示业务也公布了清晰的发展路径。今年下半年,公司将依托具备技术差异化的高端旗舰产品,以及全新8.6代IT OLED面板生产线的全面量产,共同推动营收与利润的持续增长。从存储芯片、晶圆代工到显示面板,三星电子正在多条高技术壁垒的赛道上协同推进,其面向未来的全产业链技术布局与产能规划,正展现出前所未有的深度与广度。

来源:https://www.itren.com/digital/176837.html
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