西安三星236层3D NAND闪存量产，技术突围再获突破
来源：环球网
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【环球网科技综合报道】3月30日消息，据韩媒ETNEWS报道，三星电子位于中国西安的NAND晶圆厂近日完成关键工艺制程升级，第八代V-NAND（V8，236层堆叠）3D NAND闪存正式实现量产。
西安晶圆厂是三星在韩国本土以外重要的半导体生产基地，长期致力于先进存储芯片研发与制造。本次制程升级工作自2024年启动，在原有V6（128层）NAND生产线基础上完成技术改造，全面提升产品性能、生产效率与产能竞争力，可更好满足人工智能时代高速增长的高性能存储设备需求。
据了解，在成功量产V8 NAND闪存后，三星西安晶圆厂已明确下一阶段技术目标，将聚焦286层堆叠的V9 NAND闪存研发与产能建设，相关生产线布局于X2工厂，计划于2026年内完成产线过渡并实现量产，持续推动3D NAND闪存技术向更高堆叠、更高性能、更高效率方向发展。（纯钧）
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