西安三星236层3D NAND闪存量产,技术突围再获突破
来源:环球网
【环球网科技综合报道】3月30日消息,据韩媒ETNEWS报道,三星电子位于中国西安的NAND晶圆厂近日完成关键工艺制程升级,第八代V-NAND(V8,236层堆叠)3D NAND闪存正式实现量产。

西安晶圆厂是三星在韩国本土以外重要的半导体生产基地,长期致力于先进存储芯片研发与制造。本次制程升级工作自2024年启动,在原有V6(128层)NAND生产线基础上完成技术改造,全面提升产品性能、生产效率与产能竞争力,可更好满足人工智能时代高速增长的高性能存储设备需求。
据了解,在成功量产V8 NAND闪存后,三星西安晶圆厂已明确下一阶段技术目标,将聚焦286层堆叠的V9 NAND闪存研发与产能建设,相关生产线布局于X2工厂,计划于2026年内完成产线过渡并实现量产,持续推动3D NAND闪存技术向更高堆叠、更高性能、更高效率方向发展。(纯钧)
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