当全球芯片行业陷入摩尔定律逼近极限的焦虑，当西方仍试图用技术封锁扼住中国芯片产业的咽喉时，一则重磅消息传来，中国芯取得了重大突破！

没错，又是复旦团队，成功研制出二维半导体芯片“无极”，中国首款！全球首款！

长期以来，芯片行业的发展始终遵循摩尔定律，依靠不断缩小晶体管尺寸、提高集成密度来提升性能。但随着硅基材料逼近2nm甚至1nm的物理极限，电子漏电、散热困难等问题日益凸显，而且良品率还低，成本越来越高，全球科研界都在寻找破局之路。

而二维半导体材料，因其仅几个原子厚度的特性，凭借出色的电子性能，成为公认的最优解——它能在更小的尺度上稳定工作，完美避开硅基材料的固有缺陷。看似光明的赛道，实则布满荆棘。

此前，国外科研团队也曾尝试用二维材料搭建电路，但始终受限于工艺精度不足、材料缺陷较多等问题，集成度最高仅能达到百余个晶体管，不仅稳定性差，良率也低得难以实现产业化。

就在全球科研界陷入瓶颈之际，中国复旦团队毅然扎根这一领域，用五年时间，一步步啃下了这块“硬骨头”。复旦团队从材料生长环节入手，采用化学气相沉积法，在晶圆上精准培育二硫化钼材料，确保每一层都均匀平整。随后通过低能量等离子体处理表面，避免高能粒子损坏超薄的二维材料，最大限度保留其优良的电子特性。

2025年4月2日，这项里程碑式的成果在国际顶刊发表，全球首款基于二维半导体的32位RISC-V架构微处理器“无极”正式问世。这款芯片集成了5900个晶体管，将此前国际最高纪录提升了50多倍。令人惊叹的是，它采用微米级工艺，功耗却能与纳米级硅基芯片持平，同时具备单级增益高、关态漏电极低的优势，性能达到同期国际最优水平。

更值得关注的是，“无极”芯片采用RISC-V开源架构，完全自主可控，无需依赖外部尖端光刻机，这在西方持续加码芯片封锁的背景下，具有非同寻常的意义。它证明了中国芯片产业无需被“卡脖子”技术捆住手脚，通过自主创新，同样能开辟出一条属于自己的道路。

突破不止于实验室，成果转化的步伐同样迅速。2025年10月，复旦团队再传捷报，推出二维半导体与硅基混合架构的闪存芯片，将超快存储器件与成熟CMOS工艺深度融合，实现了全球首颗此类高复杂度指令驱动芯片，集成良率达到94.3%，速度较传统闪存大幅提升。

就在今年初，国内首条二维半导体工程化示范工艺线也正式在上海点亮，这也是由复旦孵化企业主导建设，预计6月通线、9月实现小批量生产，可产出兆字节级存储器和百万门级电路。这条工艺线的点亮，标志着二维半导体技术从实验室原型，正式迈向产业化应用，为中国芯片产业的自主发展奠定了坚实基础。

“无极”芯片的问世，告诉我们，技术自立自强从来不是空洞的口号，而是实验室里反复调试的参数，是产线上一次次的点亮测试，是科研工作者日复一日的坚守与付出。

未来，随着二维半导体工程化工艺线的逐步落地，集成度将持续提升，应用场景也将不断拓展，从低功耗电子设备到工业互联网，从人工智能到航天航空，二维半导体芯片将发挥越来越重要的作用。