芯片性能提升遭遇瓶颈，已成为半导体行业广为讨论的话题。随着晶体管尺寸微缩逼近物理极限，摩尔定律的延续性备受质疑。近日，《自然》杂志发表的一篇论文带来了一个颇具分量的答案。美国伊利诺伊大学厄巴纳-香槟分校的研究团队，在三维集成电路制造领域攻克了一项核心难题——他们研发出一项新工艺，能够在严格的热预算约束条件下，实现多层高性能单晶硅电路的垂直堆叠集成。这意味着，此前垂直堆叠多层电路时难以解决的热量积累问题，如今有了可行的解决方案。这一突破为传统平面微缩路径之外开辟了一条全新方向，为摩尔定律的延续提供了现实路径。该研究成果已刊登于最新一期《自然》杂志，值得行业关注。
新工艺实现多层单晶硅电路垂直集成技术
芯片性能提升遭遇瓶颈，已成为半导体行业广为讨论的话题。随着晶体管尺寸微缩逼近物理极限，摩尔定律的延续性备受质疑。近日，《自然》杂志发表的一篇论文带来了一个颇具分量的答案。美国伊利诺伊大学厄巴纳-香槟分校的研究团队，在三维集成电路制造领域攻克了一项核心难题——他们研发出一项新工艺，能够在严格的热预算约
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