ASML公布EUV光源突破：2030年芯片产能有望提升50%
2月23日，IT之家援引路透社报道称，ASML研发团队宣布已成功找到提升关键芯片制造设备光源功率的方法，预计到2030年可将芯片产量提升高达50%。
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IT之家关注到，ASML极紫外光刻（EUV）光源首席技术官迈克尔·珀维斯在接受采访时强调：“这并非华而不实的概念展示，也不是只能在实验室短暂运行的演示方案，而是一套能在客户实际生产环境中稳定输出1000瓦功率的成熟系统。”
报道指出，随着本周一该项技术突破的公布，ASML旨在通过改进光刻机中技术难度最高的核心部件，进一步拉开与潜在竞争对手的技术差距。这场技术攻关旨在生成具备合适功率与特性的极紫外光，为实现高产量芯片制造奠定基础。该公司研究人员已成功找到将EUV光源功率从目前的600瓦提升至1000瓦的有效路径。
该技术的主要优势在于，更高功率意味着每小时可生产更多芯片，从而显著降低单颗芯片的制造成本。芯片制造过程类似“印刷”工艺：极紫外光照射到涂有光刻胶的硅晶圆上。借助功率更强的EUV光源，芯片厂所需的曝光时间将大幅缩短。
ASML的NXE系列EUV光刻机业务执行副总裁特恩·梵高透露，到2030年，升级后的设备每小时可处理约330片晶圆，而目前仅为220片。根据芯片尺寸的不同，每片晶圆可产出数百至数千颗芯片。
报道提及，ASML通过强化其光刻机中最复杂的组件之一——锡滴发生器，实现了功率提升。在该系统中，大量二氧化碳激光将锡滴加热成等离子体（一种超热物质状态），随后锡离子会发出可用于芯片制造的极紫外光。
本周一披露的关键进展是将锡滴频率提升至每秒约10万次，并采用两次较小激光脉冲将其塑形成等离子体，而现有设备仅能实现单次成型。
珀维斯表示：“这项技术极具挑战性，因为它要求我们掌握纳米级精度控制能力，必须精通激光技术、等离子体科学以及材料科学。”他补充道：“我们实现的千瓦级成果意义重大，已经看到通往1500瓦的清晰路径。从理论上讲，未来突破2000瓦也不存在根本性障碍。”
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