2月19日消息，全球存储芯片供应短缺问题持续发酵，韩国两大半导体巨头正加快产能布局步伐。

SK海力士计划将龙仁一期晶圆厂投产时间提前，原定于2027年5月竣工的项目，现拟提前至明年初启动试运行。三星电子也准备将平泽P4工厂的投产时间表提前，从原计划的明年第一季度提早至今年第四季度。

根据KB证券最新数据，截至今年2月，三星与SK海力士主要客户的存储芯片需求满足率仅为60%左右，供应紧张程度较去年第四季度进一步加剧。

业内普遍预测，这种供应紧张局面将延续至2027年。花旗集团分析显示，今年DRAM与NAND闪存的供应增速预计分别为17.5%和16.5%，而需求增速则达到20.1%和21.4%，供需缺口持续扩大。

在高带宽存储器领域，价格博弈同样升温。据悉三星新一代HBM4报价约为700美元，SK海力士有望跟进这一价格水平。

这不仅较现有HBM3E产品高出20%-30%，相较去年8月SK海力士供应给英伟达的HBM4价格也上涨近三成。市场预期，受存储芯片量价齐升推动，三星与SK海力士今年第一季度营业利润有望突破30万亿韩元。

与此同时，美国存储芯片大厂美光科技也在加速扩产步伐。该公司近日宣布，计划在新加坡投资240亿美元扩建晶圆制造厂，以应对全球存储芯片短缺问题，加快提升产能供给能力。