2月12日消息，据媒体报道，三星日前宣布已正式启动HBM4内存的量产，并同步向客户交付商用产品。

这是业界首次将4纳米制程的基础裸片与1纳米级别DRAM工艺相结合，从量产初期就实现了稳定良率与领先性能，无需额外设计调整，为三星在HBM4市场早期阶段确立了技术主导地位。

三星表示，此次HBM4并未沿用既有成熟设计方案，而是基于自身工艺与设计优化能力，在制程节点上迈出关键一步，为后续性能拓展预留充足空间，能够快速响应客户不断提升的计算需求。

速度方面，三星HBM4已实现11.7Gbps的数据传输速率，较行业标准的8Gbps提升约46%，相比前代HBM3E的最高速率9.6Gbps也高出22%，刷新了HBM4性能标杆。

三星同时具备将速率进一步提升至13Gbps的能力，有助于缓解大模型持续扩展带来的数据瓶颈压力。单堆栈总内存带宽最高可达3.3TB/s，达到HBM3E的2.7倍。

容量配置上，三星HBM4通过12层堆叠技术提供24GB至36GB的容量组合，未来将引入16层堆叠技术，将单堆栈容量扩展至48GB。

伴随接口位宽翻倍至2048位，功耗与散热挑战随之而来。三星将低功耗设计直接集成于核心芯片，采用低电压硅通孔技术与电源分配网络优化方案，使HBM4功耗效率较前代提升40%，热阻降低10%，散热能力提升30%。

凭借在性能、能效与可靠性层面的综合提升，三星HBM4为数据中心环境提供了更优的GPU吞吐量支撑，并助力客户有效控制总体拥有成本。