三星2nm工艺突破：全新HBM4E内存亮相，友商仍用12nm
3月15日消息，AI时代推动HBM内存迅速崛起，它也成为DDR内存缺货的元凶，这背后是AI需求旺盛，对产能和性能要求极高。
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此前SK海力士在HBM内存市场超越三星，成为NVIDIA AI+GPU的主力供应商，不过三星在HBM4内存上终于迎头赶上，号称全球首发量产HBM4内存。
接下来，三星还计划进一步巩固自身优势，在下一代HBM4E内存上采用最先进的工艺，其中内存工艺升级到1c等级，基板芯片则一步到位升级到2nm工艺。
作为对比，三星当前的HBM4用的还是自家4nm工艺，SK海力士的HBM基板芯片甚至还在用台积电的12nm工艺打造，可见三星这次有多激进。
升级到2nm工艺后，HBM4E内存的发热、能效及芯片利用率等指标预计会明显改善，进一步提升三星的领先优势。
HBM4E内存预计今年年中问世，定制版则会在下半年亮相。
当然，SK海力士也不会落后太多，定制版的HBM4E内存也计划升级到台积电的3nm工艺，具体表现可能比三星的2nm工艺还要略胜一筹。
对三星来说，随着Exynos 2600的量产，自家的2nm工艺总算摆脱了以往拉胯的形象，不仅能大规模量产，性能、能效等方面至少也合格了，特斯拉已经开始追加订单了，产能预计翻倍还多，达到月产4万晶圆的水平。
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